<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 新品快遞 > 美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無(wú)需再用昂貴的EUV光刻機(jī)

          美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無(wú)需再用昂貴的EUV光刻機(jī)

          作者:大V 時(shí)間:2022-11-23 來(lái)源:中關(guān)村在線 收藏

          內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點(diǎn)之后,廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化,都被稱為10nm級(jí)內(nèi)存,但有更細(xì)節(jié)的劃分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440771.htm

              在1α,1β,1γ這三代中,三星在1α上就開(kāi)始用EUV光刻工藝,但是代價(jià)就是成本高。而前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β則沒(méi)有使用EUV工藝,避免了昂貴的光刻機(jī)。

          美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無(wú)需再用昂貴的EUV光刻機(jī)


              不使用EUV光刻,在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝,實(shí)現(xiàn)了35%的存儲(chǔ)密度提升,同時(shí)省電15%。

              1β之后還有1γ工藝,估計(jì)會(huì)是12nm級(jí)別,制造難度更大,但依然沒(méi)有明確是否使用EUV光刻機(jī)。而如今的1β內(nèi)存,工藝水平相當(dāng)于13nm。




          關(guān)鍵詞: 美光 內(nèi)存芯片

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();