美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機

內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點之后，廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱為10nm級內(nèi)存，但有更細(xì)節(jié)的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。

    在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。

    不使用EUV光刻，美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現(xiàn)了35%的存儲密度提升，同時省電15%。

    1β之后還有1γ工藝，估計會是12nm級別，制造難度更大，但美光依然沒有明確是否使用EUV光刻機。而如今的1β內(nèi)存，工藝水平相當(dāng)于13nm。