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          基于新型MEMS開關(guān)提高SoC測試能力及系統(tǒng)產(chǎn)出

          作者:ADI產(chǎn)品營銷經(jīng)理Richard Houlihan、ADI產(chǎn)品應(yīng)用工程師Naveen Dhull、ADI首席IC設(shè)計工程師Padraig Fitzgerald 時間:2022-11-28 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

          先進(jìn)的數(shù)字處理器IC要求通過單獨(dú)的DC參數(shù)和高速數(shù)字自動測試設(shè)備(ATE)測試,以達(dá)到質(zhì)保要求。這帶來了很大的成本和組織管理挑戰(zhàn)。本文將介紹ADGM1001 SPDT MEMS開關(guān)如何助力一次性通過單插入測試,以幫助進(jìn)行DC參數(shù)測試和高速數(shù)字測試,從而降低測試成本,簡化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)(SoC)的測試流程。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202211/440962.htm

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          1.操作員將負(fù)載板安裝到測試儀上,以測試數(shù)字SoC

           

          ATE挑戰(zhàn)

          半導(dǎo)體市場在不斷發(fā)展,為5G調(diào)制解調(diào)器IC、圖像處理IC和中央處理IC等先進(jìn)的處理器提供速度更快、密度更高的芯片間通信。在這種復(fù)雜性不斷提高、需要更高吞吐量的形勢下,保證質(zhì)量成為當(dāng)前ATE設(shè)計人員面臨的終極挑戰(zhàn)。其中一個關(guān)鍵性問題是:發(fā)射器(Tx)/接收器(Rx)通道數(shù)量不斷增加,需要進(jìn)行高速數(shù)字和DC參數(shù)測試。這些挑戰(zhàn)令半導(dǎo)體測試越來越復(fù)雜,如果不加以解決,會導(dǎo)致測試時間更長、負(fù)載板更復(fù)雜和測試吞吐量下降。而在現(xiàn)代ATE環(huán)境中,也會致使運(yùn)營費(fèi)用(OPEX)增加,產(chǎn)出降低。

           

          要解決這些ATE挑戰(zhàn),需要使用能在DC頻率和高頻率下運(yùn)行的開關(guān)。ADGM1001能傳輸真正的0Hz DC信號,以及高達(dá)64Gbps的高速信號。這讓人們得以構(gòu)建高效的單個測試平臺(一次插入),可配置為測試DC參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)和高速數(shù)字通信標(biāo)準(zhǔn),例如PCIe Gen 4/5/6、PAM4USB 4。

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          2.ADGM1001眼圖,32GbpsRF1RFC,包含參考波形,使用的偽隨機(jī)測試碼PRBS 215-1)。

           

          如何測試HSIO引腳?

          在高產(chǎn)量生產(chǎn)環(huán)境中測試高速輸入輸出(HSIO)接口是一大挑戰(zhàn)。驗證HSIO接口的一種常見方法是采用高速環(huán)回測試結(jié)構(gòu)。這會將高速測試路徑和DC測試路徑集成在同一個配置中。

           

          要執(zhí)行高速環(huán)回測試,通常從發(fā)射器高速發(fā)射一個偽隨機(jī)位序列(PRBS),在負(fù)載板或測試板上環(huán)回之后由接收器接收,如圖3(左側(cè))所示。在接收端,對序列進(jìn)行分析,以計算誤碼率(BER)。

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          3.兩種插入測試方法的示意圖

           

          DC參數(shù)測試(例如連續(xù)性和泄漏測試)在I/O引腳上進(jìn)行,以確保器件功能正常。要執(zhí)行這些測試,需要將引腳直接連接到DC儀器上,用該儀器施加電流并測量電壓,以測試故障。

           

          要在DUT I/O上執(zhí)行高速環(huán)回測試和DC參數(shù)測試,可以使用多種方法來測試數(shù)字SoC;例如,使用MEMS開關(guān)或繼電器,或使用兩種不同類型的負(fù)載板,一種用于執(zhí)行高速測試,另一種用于執(zhí)行DC測試,這需要兩次插入。

           

          使用繼電器執(zhí)行高速測試和DC參數(shù)測試變得很有挑戰(zhàn)性,因為大多數(shù)繼電器的工作頻率不超過8GHz,因此用戶必須在信號速度和測試范圍方面做出讓步。此外,繼電器體積大,會占用很大的PCB面積,這會影響解決方案的尺寸。繼電器的可靠性一直備受關(guān)注,它們通常只能支持1000萬個開關(guān)周期,這限制了系統(tǒng)的正常運(yùn)行時間和負(fù)載板的壽命。

           

          3顯示用于執(zhí)行高速環(huán)回測試和DC參數(shù)測試的兩種插入測試方法。圖3中,左側(cè)顯示高速數(shù)字環(huán)回測試設(shè)置,其中DUT的發(fā)射器通過耦合電容接至接收器。圖3右側(cè)顯示DC參數(shù)測試設(shè)置,其中DUT引腳直接連接至ATE測試儀進(jìn)行參數(shù)測試。到目前為止,受組件限制,還無法在同一個負(fù)載板上同時提供高速環(huán)回功能和DC測試功能。

           

          與兩次插入測試相關(guān)的挑戰(zhàn)

          ?      管理兩套硬件:用戶必須維護(hù)和管理進(jìn)行DC和環(huán)回測試所需的兩套負(fù)載板。這使成本大幅增加,尤其是在測試大量器件時。

          ?      延長測試時間,增加測試成本:兩次插入測試意味著每個DUT必須測試兩次,因此每次測試的索引時間將增加一倍,最終會增加測試成本,并顯著影響測試吞吐量。

          ?      測試時間優(yōu)化:使用兩套硬件時,測試時間無法優(yōu)化。如果一個器件導(dǎo)致第二次插入失敗,成本會進(jìn)一步增加。第一次插入則會浪費(fèi)測試儀時間。

          ?      更易出現(xiàn)操作錯誤:由于每個DUT都要測試兩次,出現(xiàn)操作錯誤的幾率也會翻倍。

          ?      解決方案設(shè)置× 2兩種測試插入方法涉及兩組硬件,使得硬件設(shè)置時間翻倍。

          ?      組織管理成本:兩次插入測試,意味著需要移動更多組件。需要在兩個測試儀之間,甚至兩個測試室之間移動組件,帶來了規(guī)劃和組織管理挑戰(zhàn)。

           

          如何利用出色密度解決兩次插入問題

          ADI34GHz MEMS開關(guān)技術(shù)采用小巧的5mm × 4mm × 0.9mm LGA封裝,提供高速數(shù)字測試功能和DC測試功能,如圖4所示。要執(zhí)行高速數(shù)字測試,來自發(fā)射器的高速信號經(jīng)由開關(guān),路由傳輸回到接收器,在解碼之后,進(jìn)行BER分析。要執(zhí)行DC參數(shù)測試,該開關(guān)將引腳連接到DC ATE測試儀進(jìn)行參數(shù)測試,例如連續(xù)性和泄漏測試,以確保器件功能正常。在執(zhí)行DC參數(shù)測試期間,MEMS開關(guān)還提供與ATE進(jìn)行高頻通信的選項,可以滿足某些應(yīng)用的需求。

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          4.ADGM1001支持高速數(shù)字測試和DC測試(只突出顯示P通道)

           

          5顯示高速數(shù)字測試解決方案,分別使用繼電器和使用ADGM1001 MEMS開關(guān)進(jìn)行比較。使用MEMS開關(guān)時,解決方案的尺寸比使用繼電器時縮減近50%,這是因為ADGM1001采用5 × 4 × 0.9mm LGA封裝,比典型的繼電器小20倍。PCIe Gen 4/5、PAM4USB 4SerDes等高頻標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動多個發(fā)射器和接收器通道,這些通道需要緊密排布在PCB上,但不能增加布局復(fù)雜性,以消除通道與通道之間的差異。為了滿足這些不斷發(fā)展的高頻標(biāo)準(zhǔn)的要求,MEMS開關(guān)在負(fù)載板設(shè)計中提供致密和增強(qiáng)功能,以便執(zhí)行數(shù)字SoC測試。

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          5.分別使用繼電器和ADGM1001的環(huán)回解決方案比較

           

          繼電器尺寸通常很大,只能提供有限的高頻性能。它們利用增強(qiáng)致密來支持更高的頻率標(biāo)準(zhǔn),例如PCIe Gen 4/5、PAM4USB 4SerDes。大多數(shù)繼電器的工作頻率不超過8GHz,在高頻率下具有很高的插入損耗,會影響信號的完整性并限制測試覆蓋范圍。

           

          ADGM1001簡介

          ADGM1001 SPDT MEMS開關(guān)在DC34GHz頻率范圍內(nèi)提供出色的性能。該技術(shù)具有超低寄生效應(yīng)和寬帶寬,開關(guān)對高達(dá)64Gbps信號的影響很小,并且通道偏斜、抖動和傳播延遲都比較低,可實現(xiàn)高保真數(shù)據(jù)傳輸。它在34GHz時提供1.5dB的低插入損耗和3?RON。它提供69dBm的良好線性度,可以處理高達(dá)33dBmRF功率。它采用5mm × 4mm × 0.95mm小型塑料SMD封裝,提供3.3V電源和簡單的低壓控制接口。所有這些特性使ADGM1001非常適合ATE應(yīng)用,支持通過單次測試插入實現(xiàn)高速數(shù)字測試和DC參數(shù)測試,如圖4所示。

           

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          6.ADGM1001 RF性能

           

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          7.封裝類型:5mm × 4mm × 0.9mm 24引腳LGA封裝

           

          ADGM1001易于使用,為引腳23提供3.3V VDD即可運(yùn)行。但是,VDD可以使用3.0V3.6V電壓。開關(guān)可以通過邏輯控制接口(引腳1至引腳4)或通過SPI接口進(jìn)行控制。實現(xiàn)器件功能所需的所有無源組件都集成在封裝內(nèi),易于使用并且節(jié)省板空間。圖8所示為ADGM1001的功能框圖。

           

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          8.ADGM1001功能框圖

           

          使用ADGM1001實現(xiàn)單次插入測試的優(yōu)勢

          ?      出色的高速和DC性能:實現(xiàn)從DC34GHz的寬帶寬是當(dāng)今行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。ADGM1001的插入損耗、線性度、RF功率處理和RON等關(guān)鍵參數(shù)在DC34GHz范圍內(nèi)都具有出色的性能。

          ?      降低運(yùn)營費(fèi)用:

          n 減少硬件數(shù)量:單次插入測試只需使用一套測試硬件;因此,用戶無需投資購買兩套硬件和測試設(shè)備,可以大幅降低運(yùn)營費(fèi)用。

          n 測試儀的運(yùn)行時間:與繼電器相比,ADGM1001支持1億個循環(huán)周期,提供出色的可靠性,可延長測試儀的運(yùn)行時間,最終降低運(yùn)營費(fèi)用。

          ?      提高測試吞吐量:ADGM1001允許使用單次插入測試,將索引時間減少一半,這會大幅縮短測試時間,提供更高的測試吞吐量和資產(chǎn)利用率。

          ?      密集解決方案,面向未來:ADGM1001提供更高的致密度和增強(qiáng)功能。MEMS開關(guān)技術(shù)提供可靠的路線圖,適用于DC至高頻運(yùn)行開關(guān),且與不斷發(fā)展的技術(shù)完全保持一致。

          ?      降低組織管理成本:使用單次插入方法時,需要移動的組件數(shù)量更少,可以降低組織管理成本和規(guī)劃難度。

          ?      減少組件移動:使用單次插入測試方法時,DUT只需一次插入進(jìn)行測試,減少了組件移動,最終可降低發(fā)生操作錯誤的幾率。

           

          結(jié)論

          ADGM1001正在推動DC34GHz開關(guān)技術(shù)的發(fā)展,使得組合使用高速數(shù)字和DC參數(shù)解決方案進(jìn)行SoC測試成為可能。它有助于縮短測試時間,改善電路板設(shè)計布局(實現(xiàn)更高的DUT數(shù)量和吞吐量),并延長運(yùn)行時間(提高可靠性)。

           

          ADGM1001ADI MEMS開關(guān)系列的新產(chǎn)品,可滿足高速SoC測試需求。ADIMEMS開關(guān)技術(shù)擁有可靠的發(fā)展路線,支持DC至高頻的開關(guān)功能,適合面向未來的技術(shù)需要。 

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          關(guān)于ADI公司

          Analog Devices, Inc.(NASDAQ: ADI)在現(xiàn)代數(shù)字經(jīng)濟(jì)的中心發(fā)揮重要作用,憑借其種類豐富的模擬與混合信號、電源管理、RF、數(shù)字與傳感技術(shù),將現(xiàn)實世界的現(xiàn)象轉(zhuǎn)化成有行動意義的洞察。ADI服務(wù)于全球12.5萬家客戶,在工業(yè)、通信、汽車與消費(fèi)市場提供超過7.5萬種產(chǎn)品。ADI公司總部位于馬薩諸塞州威明頓市。

          關(guān)于作者

          Richard Houlihan投身電子行業(yè)25,擔(dān)任過設(shè)計、產(chǎn)品線管理、營銷到業(yè)務(wù)部主管職位。他現(xiàn)在負(fù)責(zé)ADI公司先進(jìn)的開關(guān)和多路復(fù)用器產(chǎn)品線的營銷和業(yè)務(wù)開發(fā)。Richard利用自身在模擬前端結(jié)構(gòu)方面的背景和廣闊的市場渠道經(jīng)驗,負(fù)責(zé)督導(dǎo)戰(zhàn)略創(chuàng)新和產(chǎn)品開發(fā)。他擁有都柏林三一學(xué)院的電氣工程學(xué)士學(xué)位和波士頓東北大學(xué)的工商管理碩士學(xué)位。 

          Naveen Dhull2011年獲得愛爾蘭沃特福德理工學(xué)院的電子工程學(xué)士學(xué)位。他于2011年加入ADI公司,擔(dān)任IC布局工程師,隨后于2016年調(diào)入開關(guān)和多路復(fù)用器應(yīng)用團(tuán)隊。自2016年以來,他一直擔(dān)任產(chǎn)品應(yīng)用工程師,專注于使用CMOSMEMS開關(guān)技術(shù)的RF開關(guān)。 

          Padraig Fitzgerald 2002年畢業(yè)于愛爾蘭利默里克大學(xué),獲得電子工程學(xué)士學(xué)位。同年,他加入ADI公司愛爾蘭利默里克分公司,擔(dān)任固態(tài)開關(guān)評估工程師,2007年轉(zhuǎn)向開關(guān)設(shè)計領(lǐng)域。Padraig完成了科克理工學(xué)院關(guān)于MEMS開關(guān)可靠性的研究碩士課程。他還擁有倫敦大學(xué)的金融和經(jīng)濟(jì)學(xué)碩士學(xué)位。他目前是精密開關(guān)部的首席設(shè)計工程師兼MEMS開關(guān)產(chǎn)品和器件設(shè)計人員。



          關(guān)鍵詞: MEMS開關(guān) SoC測試

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