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          三星:3nm 代工市場 2026 年將達(dá) 242 億美元規(guī)模

          作者: 時間:2022-12-12 來源:IT之家 收藏

          12 月 11 日消息,電子 Foundry 部門高級研究員樸炳宰本周四在“2022 年半導(dǎo)體 EUV 全球生態(tài)系統(tǒng)會議”上發(fā)表了演講。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202212/441513.htm

          他表示,到 2026 年,全球 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)市場將達(dá)到 242 億美元規(guī)模,較今年的 12 億美元增長將超 20 倍。

          目前,電子是唯一一家宣布成功量產(chǎn) 3 納米的公司,隨著電子、臺積電、英特爾等半導(dǎo)體大廠開始引進(jìn) EUV 設(shè)備,工藝技術(shù)不斷發(fā)展,預(yù)計(jì) 3 納米工藝將成為關(guān)鍵競爭節(jié)點(diǎn)。

          根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù),截至今年年底,在晶圓市場中占據(jù)最大份額的是 5 納米和 7 納米工藝,市場規(guī)模 369 億美元,未來其份額將逐步由 3 納米所取代。他表示,“隨著 14 納米 FinFET 工藝的推出,三星電子已經(jīng)上升到代工市場的第二位?!?/span>

          據(jù)稱,3 納米節(jié)點(diǎn)需要新的器件結(jié)構(gòu)以提升性能,率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 工藝的三星使用了環(huán)柵(GAA)晶體管結(jié)構(gòu)的 MBCFET 技術(shù),較 FinFET 性能功耗有明顯改善。

          “就 FinFET 而言,性能隨著引腳數(shù)量的增加而提高,但功耗的增加超出了性能的提高幅度”,他表示,“另一方面,MBCFET 的效率要高得多,因?yàn)樗鼈冊谙嗨频乃缴咸岣吡诵阅芎凸β?。?/span>

          具體來說,在 FinFET 技術(shù)中性能提升 1.3 倍但功耗也會隨著上漲2.2 倍,而在 MBCFET 中,性能提高 1.7 倍時,功耗只會增加 1.6 倍,相對來說效率更高。



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