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          納芯微隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)為SiC+800V電驅(qū)動(dòng)賦能

          作者: 時(shí)間:2023-03-20 來(lái)源:納芯微 收藏

          當(dāng)前,以新能源汽車為代表的新興汽車正在迅速替代傳統(tǒng)的燃油車,雖然新能源汽車正在成為更多人的選擇,但毋庸置疑,它在消費(fèi)者體驗(yàn)方面仍有痛點(diǎn),一是充電不方便或充電比較慢,二是續(xù)航里程不夠。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444623.htm


          要拓寬未來(lái)的新能源汽車市場(chǎng),就需要從電氣化效率入手加以解決,而當(dāng)前重要的趨勢(shì)是采用800V電氣架構(gòu)+碳化硅功率器件,其中隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)不可或缺。


          發(fā)展的新趨勢(shì)


          的趨勢(shì)首先是發(fā)展高壓架構(gòu),在充電電壓提升、充電電流不變的條件下提高充電功率,以期達(dá)到充電5分鐘續(xù)航200公里的目標(biāo)。目前,國(guó)內(nèi)外一些車型已經(jīng)在使用超級(jí)充電樁,800V母線電壓也得到了不少車型的應(yīng)用和量產(chǎn)。市場(chǎng)研究顯示,到2025年,預(yù)計(jì)800V高壓架構(gòu)的新能源汽車銷量將達(dá)到100萬(wàn)臺(tái)左右,三年CAGR(復(fù)合年均增長(zhǎng)率)將達(dá)到270%;2025年,全球搭載800V架構(gòu)的新能源汽車銷量有望達(dá)到200萬(wàn)臺(tái)。


          第二個(gè)趨勢(shì)是采用高壓碳化硅功率器件,其優(yōu)勢(shì)在于,第三代半導(dǎo)體器件具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、小尺寸等優(yōu)點(diǎn),有助于提升效率,還可以優(yōu)化電驅(qū)動(dòng)重量,提升10%-15%的續(xù)航里程。


          在新能源汽車的電機(jī)控制器中,電力轉(zhuǎn)換是通過(guò)控制IGBT的開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的。受制于材料本身的局限性,IGBT較難在200℃以上溫度下工作。高功率密度的電機(jī)控制器需要高效的電力轉(zhuǎn)換效率和更高的工作溫度,這對(duì)功率器件提出了更高的要求,如更低的導(dǎo)通損耗、耐高溫、高導(dǎo)熱能力等。


          從采用傳統(tǒng)硅基MOSFET或IGBT轉(zhuǎn)向碳化硅功率器件,可以將整個(gè)模塊的重量減輕近一半。一些客戶研發(fā)的全碳化硅平臺(tái)可以減重9公斤,最大功率可以達(dá)到220kW,尺寸縮小將近40%。


          上述兩大趨勢(shì)對(duì)隔離IC和驅(qū)動(dòng)IC提出了新的更高的要求。首先是800V高壓平臺(tái)的三電系統(tǒng)(包括OBC、DC-DC、BMS),還有空壓機(jī)、PTC、電驅(qū)動(dòng)的電壓等級(jí)都會(huì)隨之提升。


          新能源汽車?yán)锏母綦x與驅(qū)動(dòng)技術(shù)


          新能源汽車的隔離首先是基于安規(guī)要求,在400V-800V電池電壓下保護(hù)人身和設(shè)備安全,處理器等弱電器件也需要隔離芯片做到和高壓側(cè)進(jìn)行電氣隔離;二是共地需求,需要用隔離器件來(lái)實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能;三是高抗噪需求,以實(shí)現(xiàn)更高的CMTI(共模抑制比)抗擾能力,避免出現(xiàn)大的噪聲干擾,導(dǎo)致功率管誤開(kāi)通;特別是碳化硅的應(yīng)用會(huì)使開(kāi)關(guān)頻率上升,出現(xiàn)比較大的dv/dt噪聲。


          爬電也是安規(guī)要求之一,它代表芯片封裝表面產(chǎn)生閃絡(luò)或擊穿(起痕)的距離,在新能源汽車高壓三電系統(tǒng)中常見(jiàn)的爬電距離是8毫米的隔離器件,隨著三電系統(tǒng)向800V電壓升級(jí),爬電距離也會(huì)上升。


          此外,大峰值輸出電流需要導(dǎo)通電流更大的開(kāi)關(guān)管,以滿足快速開(kāi)通關(guān)斷功率管的要求。新能源汽車依靠電動(dòng)空壓機(jī)驅(qū)動(dòng),主電機(jī)驅(qū)動(dòng)、PTC也需要有高壓電氣隔離。


          目前,業(yè)界有幾種主流隔離技術(shù),采用基于容耦的電容隔離技術(shù)。相比光耦,容耦的傳輸速率更高,容易達(dá)到Mbps以上的通信速率。光耦雖然也可以做到,但是速率的提升要以成倍增加的成本為代價(jià)。另外,光耦受封裝工藝限制,不太容易將多個(gè)隔離通道集成在一個(gè)芯片中,而電容隔離很容易將六通道、八通道隔離集成在一個(gè)芯片中。另外,容耦沒(méi)有溫漂和光衰的困擾,工作溫度范圍更寬。


          磁耦的原理是通過(guò)磁通量的變化來(lái)傳遞信號(hào),容耦是通過(guò)電場(chǎng),在低輻射方面具有優(yōu)勢(shì)。


          在電容隔離芯片中,隔離電容分別位于兩個(gè)分離的裸片上。由于采用性能優(yōu)越的增強(qiáng)隔離工藝技術(shù)進(jìn)行電氣隔離,兩個(gè)電容極板串聯(lián)在一起,以增強(qiáng)型架構(gòu)實(shí)現(xiàn)隔離。其中間的隔離介質(zhì)是二氧化硅,是一種隔離強(qiáng)度更高的隔離介質(zhì),每微米隔離耐壓能力可達(dá)400V以上,是光耦所使用的隔離介質(zhì)環(huán)氧樹(shù)脂的5-6倍。理論上,30微米的隔離柵厚度就可以達(dá)到10kV以上的隔離耐壓。實(shí)際測(cè)試的60秒耐壓也可以達(dá)到12kV水平。另外,電容隔離每通道的差分傳輸架構(gòu)也有助于提高共模噪聲抑制能力。


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          在共模抑制方面,需要采用調(diào)制方式,即將一個(gè)輸入信號(hào)通過(guò)調(diào)制在電容或其他介質(zhì)中進(jìn)行傳輸。業(yè)界主流做法通常是采用OOK編碼方式,將一個(gè)輸入信號(hào)調(diào)制到400多兆載波,然后在電容中間傳輸。通過(guò)自有專利(Adaptive OOK)在OOK編碼方案上又做了電路優(yōu)化,進(jìn)一步提高了隔離器的抗共模噪聲能力。相對(duì)其他兩種方式,OOK編碼調(diào)制方式的優(yōu)勢(shì)在于抗共模抑制能力強(qiáng)。


          的產(chǎn)品具有12kVrms高耐壓隔離能力、EMC性能和>12kV浪涌及雙邊ESD>10kV的能力。這些產(chǎn)品均獲得了UL/CUL/VDE/CQC等業(yè)界主流的安規(guī)認(rèn)證。


          納芯微從最開(kāi)始的數(shù)字隔離芯片到隔離電源,包括隔離采樣、隔離驅(qū)動(dòng),還有一些接口相關(guān)產(chǎn)品和車規(guī)隔離器件,現(xiàn)在都已經(jīng)全面量產(chǎn)。


          第三代半導(dǎo)體對(duì)隔離器件的要求更高,開(kāi)關(guān)頻率已從硅基的10kHz提升到碳化硅的100kHz量級(jí),隔離耐壓提升到1000V以上。


          另外,碳化硅器件對(duì)數(shù)字隔離器的要求是開(kāi)關(guān)頻率變高了,傳輸速率也要提升,共模抑制能力至少要大于100kV/微秒,納芯微的隔離器件可以達(dá)到150kV甚至200kV的水平。


          在新一代電驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)中,在選擇合適的碳化硅功率管驅(qū)動(dòng)芯片時(shí),CMTI、寬柵極電壓擺幅、大峰值輸出電流、快速上升下降時(shí)間,以及快速短路保護(hù)、軟關(guān)斷能力,都是需要考慮的隔離驅(qū)動(dòng)芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。


          納芯微的系統(tǒng)和產(chǎn)品方案


          在新能源汽車電驅(qū)動(dòng)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用方面,納芯微已經(jīng)量產(chǎn)的隔離驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品包含NSi6611和NSi6651智能保護(hù)增強(qiáng)型隔離驅(qū)動(dòng),以及增強(qiáng)型數(shù)字隔離器、增強(qiáng)型的隔離采樣。


          除了驅(qū)動(dòng)外,三電系統(tǒng)總線的電壓或電流隔離采樣有NSi1311和NSi1300等,市場(chǎng)占有率都比較高。


          NSi82是納芯微最早推出的車規(guī)級(jí)數(shù)字隔離產(chǎn)品,覆蓋1-6通道方案,采用不同封裝,如窄體8、寬體8,寬體16,同時(shí)包括匹配800V應(yīng)用、爬電距離15毫米的超寬體隔離器件。此外,還有一些接口產(chǎn)品,如用于CAN的1042、1051、1043以及馬上將出樣的1145。


          增強(qiáng)型隔離的主要優(yōu)勢(shì)在于隔離工作電壓,具有一分鐘5000V的交流耐壓能力。NSi82增強(qiáng)型數(shù)字隔離器是明星產(chǎn)品,標(biāo)稱隔離電壓5000Vrms,在絕緣油中可測(cè)到12kV隔離耐壓,裕量非常充足,可靠性比較高。


          由于隔離工作電壓長(zhǎng)期施加在隔離柵兩端,時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年甚至更長(zhǎng),需要能夠保證隔離器的失效率小于一個(gè)ppm。如果是基礎(chǔ)型隔離,這方面的要求要寬松很多,在失效率方面可能只要求小于1000ppm,相差了1000倍。


          滿足車廠國(guó)產(chǎn)替代需求


          納芯微的隔離和驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品主要應(yīng)用于OBC、DC-DC、主電機(jī)驅(qū)動(dòng)、BMS和熱管理系統(tǒng)。納芯微的隔離和驅(qū)動(dòng)技術(shù)在業(yè)界比較領(lǐng)先,且全國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈供貨安全可靠。成熟的產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)和完善的智慧生產(chǎn)體系,不僅體現(xiàn)在AEC-Q100認(rèn)證方面,從產(chǎn)品定義開(kāi)發(fā)到后道晶圓封裝都嚴(yán)格遵循車規(guī)流程和管控理念。



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