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          SiC功率半導(dǎo)體市場分析;廠商談IGBT大缺貨

          作者: 時間:2023-03-28 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體研究處最新報告《2023 市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化,將推動2023年整體功率元件市場規(guī)模達(dá)22.8億美元,年成長41.4%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202303/444957.htm

          與此同時,受惠于下游應(yīng)用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預(yù)期,至2026年功率元件市場規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動汽車及可再生能源

          2全球車用MCU市場規(guī)模預(yù)估

          2022年全球車用MCU市場規(guī)模達(dá)82.86億美元。過去2年全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)快速增長,尤其中國市場2022年新能源汽車銷售量達(dá)到646萬輛,與同期相比成長89.5%,新能源汽車滲透率也從2021年14.3%提升至25.6%。

          受新能源汽車產(chǎn)業(yè)爆發(fā),以及供需關(guān)系的緊張,全球車用MCU規(guī)模也出現(xiàn)大幅度提升,2022年市場規(guī)模為82.86億美元,與同期相比成長11.4%。展望2023年,隨著新能源汽車?yán)^續(xù)成長和智慧化持續(xù)推進(jìn),全球車用MCU將繼續(xù)成長到86.46億美元,同期相比成長4.35%。

          整體而言,過去幾年中國車規(guī)級MCU發(fā)展迅速,已具備一定競爭力,從中長期來看,在中國國產(chǎn)替代與中國新能源汽車持續(xù)增長帶動下,中國國產(chǎn)車規(guī)級MCU會繼續(xù)成長

          3全球閃存市場需求將回暖?

          3月23日,長江存儲首席運營官程衛(wèi)華對外表示,預(yù)計2023年全球閃存需求將回暖,供需趨于平衡。

          進(jìn)入2023年第一季度,集邦咨詢指出,鎧俠、產(chǎn)線持續(xù)低負(fù)載,西部數(shù)據(jù)、SK海力士將跟進(jìn)減產(chǎn),有機會緩解目前供給過剩的情況,NAND Flash均價跌幅也將收斂至10~15%。

          經(jīng)歷過2022年“寒冬”之后,存儲廠商在最新財報中普遍對2023年存儲市場抱有相對樂觀的展望。雖然預(yù)計宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性將持續(xù)存在,但三星預(yù)計需求將在下半年開始復(fù)蘇,主要集中在HPC和汽車行業(yè)

          4廠商談大缺貨

          當(dāng)下半導(dǎo)體周期下行,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多細(xì)分領(lǐng)域均明顯邁入到庫存調(diào)整周期。然而,在電動車與太陽能光伏兩大主流應(yīng)用需求大增助推下,(絕緣柵雙極型晶體管)近期出現(xiàn)較大程度缺貨,不僅價格連漲,業(yè)界更以“不是價格多高的問題,而是根本買不到”來形容缺貨盛況。

          業(yè)者分析,大缺貨有2大原因,一是當(dāng)前太陽能逆變器采用IGBT的比重大幅提升,二是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于調(diào)整期,不僅產(chǎn)能有限,而且許多產(chǎn)能都被電動車廠搶走,在排擠效應(yīng)下,導(dǎo)致IGBT大缺。

          隨著新能源車興起,對高電壓需求大增,IGBT成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展焦點,一輛電動車使用的IGBT數(shù)量高達(dá)上百顆,是傳統(tǒng)燃油車的七到十倍。在工業(yè)用途上,則有AC伺服馬達(dá)、變頻器、風(fēng)力及太陽能發(fā)電等綠電應(yīng)用,在高壓部分則是高速鐵路等軌道運輸以及電網(wǎng)的應(yīng)用。

          當(dāng)下SiC功率元件作為各家電動汽車性能致勝的一大依賴技術(shù),整車廠們爭相綁定未來幾年的SiC供應(yīng),IGBT供應(yīng)商也不例外.

          5深圳寶安新政出臺

          據(jù)寶安日報報道,近日,深圳寶安區(qū)正式發(fā)布了《寶安區(qū)培育發(fā)展半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)集群實施方案(2023-2025年)》(以下簡稱《實施方案》)。

          《實施方案》明確提出,到2025年,構(gòu)筑具有全球影響力的車規(guī)級、人工智能、穿戴芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集聚高地,實現(xiàn)產(chǎn)值突破1200億元,增加值突破280億元,培育5家以上產(chǎn)值超20億元的企業(yè)、10家以上產(chǎn)值超10億元的企業(yè),涌現(xiàn)一批“專精特新”中小企業(yè)和優(yōu)質(zhì)新銳上市企業(yè)。

          《實施方案》針對總量規(guī)模提升、產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善、企業(yè)集聚發(fā)展三大工作目標(biāo)提出了先進(jìn)制造、第三代半導(dǎo)體、先進(jìn)封測、材料裝備配套、高端芯片、以及分銷服務(wù)等六大重點方向。同時,《實施方案》還謀劃了“2+4”千億級產(chǎn)業(yè)格局

          6擴(kuò)產(chǎn)

          據(jù)華爾街日報報道,存儲器大廠科技計劃在美國紐約州錫拉丘茲地區(qū)投資1000億美元建設(shè)一個半導(dǎo)體制造園區(qū),該園區(qū)將于2024年起開始動工興建,2045年完成所有建設(shè)后將雇用9000名員工。

          針對人才供給方面,美光首席人事官April Arnzen表示,公司計劃通過投資當(dāng)?shù)嘏嘤?xùn)中心并向特定學(xué)校提供1000萬美元來加強其科學(xué)、技術(shù)、工程和數(shù)學(xué)課程,從而建立人才梯隊。其進(jìn)一步表示,美光還與當(dāng)?shù)厣鐓^(qū)學(xué)院和大學(xué)合作,以確保他們的畢業(yè)生直接到崗。

          關(guān)于新廠建設(shè)內(nèi)容,美光暫時還未披露。美光的業(yè)務(wù)主要以DRAM和NAND Flash為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù),2022年第四季度,美光在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域的市占率分別為23%及10.7%,各排名第三和第五位




          關(guān)鍵詞: SiC 功率半導(dǎo)體 IGBT 美光

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