Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
奈梅亨,2023年5月10日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202305/446410.htm
Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之間),提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm兩種封裝。這些產品可在高電壓(<650 V)、低功率的數據通訊/電信、消費類充電、太陽能和工業應用中提高電源轉換效率,還可用于高精度無刷直流電機和緊湊型服務器設計,以實現更高扭矩和更大功率。
Nexperia現還提供采用WLCSP8封裝的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封裝的150 V (7 m?) GaN FET。這些器件適合各種低電壓(<150 V)、高功率應用,例如,數據中心使用的高效DC-DC轉換器、快速充電(電動出行類和USB-C類)、小尺寸LiDAR收發器、低噪聲D類音頻放大器以及功率密度更高的消費類設備(如手機、筆記本電腦和游戲主機)。
在許多功率轉換應用中,GaN FET憑借緊湊型解決方案尺寸能實現更高的功率效率,從而顯著降低物料(BOM)成本。因此,GaN器件在主流電力電子市場逐漸得到了廣泛應用,包括服務器計算、工業自動化、消費類應用和電信基礎設施?;?/span>GaN的器件具備快速轉換/開關能力(高dv/dt和di/dt),可在低功率和高功率轉換應用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的開關性能,這得益于極低的Qg和QOSS值,并且低RDS(on)有助于實現更高的功率效率設計。
這些新器件進一步擴充了Nexperia豐富的GaN FET產品系列,適合各種功率轉換的應用。產品組合包括支持高電壓、高功率應用的級聯器件,支持高電壓、低功率應用的650 V E-mode器件和支持低電壓、高功率應用的100/150 V E-mode器件。此外,Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圓生產線制造以提高產能,符合工業級的JEDEC標準。Nexperia的GaN器件產品系列不斷擴充,充分體現了Nexperia堅守承諾,促進優質硅器件和寬禁帶技術發展的決心。
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