ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設(shè)備2030年登場

據(jù)日本媒體報(bào)導(dǎo)，光刻機(jī)設(shè)備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì)ITF World 2023表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿足半導(dǎo)體發(fā)展。

Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術(shù)越來越成熟，半導(dǎo)體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進(jìn)，不過速度可能會(huì)在2030年放緩。

故ASML計(jì)劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設(shè)備（原型制作），2025年量產(chǎn)出貨。2025年開始，客戶就能從數(shù)值孔徑為0.33傳統(tǒng)EUV多重圖案化，切換到數(shù)值孔徑為0.55 High-NA EUV單一圖案化，降低制程成本，提高產(chǎn)量。

High-NA EUV預(yù)估會(huì)有五大客戶：英特爾、臺積電、三星、SK海力士、美光，可最早使用設(shè)備?？屏盅邪l(fā)、柯磊、HMI和JSR及TEL等正與ASML合作，開發(fā)High-NA EUV材料與特用化學(xué)品。

Fouquet表示，EUV光源輸出功率一直穩(wěn)步增加，ASML傳統(tǒng)型號EUV光源輸出功率為250W~300W，最新型號3600D增加到350W，現(xiàn)在研究層面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產(chǎn)量，并降低制程成本，需要更高數(shù)值孔徑的EUV曝光（NA=0.75）。藉DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技術(shù)形成圖案的每個(gè)晶體管成本都不斷變化，考量到新技術(shù)價(jià)格一定高于EUV每套3億美元，High-NA EUV價(jià)格將非?？捎^，但仍取決于客戶要求和開發(fā)成本。