<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 1γ DRAM、321層NAND!存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

          1γ DRAM、321層NAND!存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

          作者: 時(shí)間:2023-10-07 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響,產(chǎn)業(yè)身處下行周期,但大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/451154.htm

          對(duì)芯片而言,先進(jìn)制程意味著高能效與高容量,以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前,先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來到了第五代,美光稱之為1β ,三星稱之為1b DRAM。

          美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后,計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM,這將是美光第1代采用極紫外光(EUV)的制程技術(shù),目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠,因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn),未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV設(shè)備。三星計(jì)劃于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段,芯片容量將達(dá)到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度將在6.4-7.2Gbp。

          Flash領(lǐng)域,目前 Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān),廠商正持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit 2023)上,首次展示了全球首款321層閃存樣品,效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進(jìn)一步完善321層NAND閃存,并計(jì)劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。

          除此之外,美光計(jì)劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品;鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù);三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND(有望達(dá)到280層),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層),2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。



          關(guān)鍵詞: DRAM NAND 存儲(chǔ)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();