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          佳能推出納米壓印半導體制造設備,執(zhí)行電路圖案轉移

          作者: 時間:2023-10-16 來源:SEMI 收藏
          宣布推出FPA-1200NZ2C設備,該設備執(zhí)行電路圖案轉移。自日本(Canon)官網(wǎng)獲悉,10月13日,宣布推出FPA-1200NZ2C設備,該設備執(zhí)行電路圖案轉移,這是最重要的工藝。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/451596.htm

          (FPA-1200NZ2C  圖源:Canon)

          據(jù)悉,除了現(xiàn)有的光刻系統(tǒng)外,佳能還將采用(NIL)技術的半導體制造設備推向市場,擴大其半導體制造設備陣容,以滿足從最先進的半導體設備到現(xiàn)有設備的廣泛需求。

          佳能官方介紹稱,其NIL技術可實現(xiàn)最小線寬14nm的圖形化,相當于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導體所需的5nm節(jié)點。隨著掩模技術的進一步改進,納米壓印光刻有望實現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案,相當于2nm節(jié)點。此外,新產(chǎn)品采用新開發(fā)的環(huán)境控制技術,可抑制設備內(nèi)細顆粒污染,使精細復雜電路的形成成為可能,有助于制造尖端半導體器件。




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