MSPM0在指定Flash地址開辟模擬EEPROM

在嵌入式系統中，諸如變頻器和伺服驅動器等工業應用，乃至CD播放器等眾多消費電子產品，都需要保存最近的用戶設置，在下次上電后加載使用。如果使用MCU內置Flash，一般擦寫次數限制在10k次，無法滿足壽命和耐久性要求，所以只能通過外置EEPROM實現。

TI新推出的MSPM0系列MCU支持使用Flash模擬EEPROM，在小容量存儲需求的場合能節省外部EEPROM芯片，實現成本控制。MSPM0系列MCU的Flash容量覆蓋16KB到128KB，其中低32KB的Flash區域支持10萬次擦寫，而剩余區域支持1萬次擦寫，如下圖MSPM0G3507規格書所示。所以，在使用Flash模擬EEPROM時，應盡可能選擇低32KB區域。

當使用<=32KB Flash容量產品時，這時芯片的全部Flash區域都支持10萬次擦寫，只需要根據用戶代碼量以及存儲需求確定模擬EEPROM的容量大小，然后放置到Flash的尾部地址即可。

當使用>32KB Flash容量產品時，這時用戶代碼占用空間可能較大，如果直接選取低32KB尾部地址作為模擬EEPROM，有可能與用戶代碼地址相沖突而造成誤擦寫，如下圖所示：

這時則需要在代碼中向編譯器聲明EEPROM的位置及長度，使其安排Code及Data時避開用戶設置的EEPROM區域。

在CCS IDE with TI Clang中，需要做兩步修改：

1. 在.cmd文件中添加Sections的聲明如下圖：

其中EEPROM 為自定義的section名字，0x00001000為自定義的開始地址。

2. 在需要使用的.c文件中（如c）添加數組定義如下：

以上語句定義了一個名為EEPROM、類型為uint32，長度為4096的const數組，并且存放在上面開辟的.EEPROM Sections，其中添加__attribute((used))可以避免編譯器把該數組優化掉。

完成以上修改后，編譯器會避開自定義的EEPROM SECTIONS，代碼只會存放于.text SECTIONS，這樣修改后就可以保證EEPROM地址和長度都落在期望的Lower 32KB區域且不會與代碼段沖突。

添加修改并編譯后，查看Memory Allocation如下圖，可見EEPROM段與.text代碼段分開，所定義的EEPROM數組也成功初始化。

最后就可以進行Flash的Erase/Program操作，具體可參考drivelib中的flashctl_program_with_ecc等例程，這里不再贅述。

本文針對MSPM0系列MCU使用Flash模擬EEPROM時需要在Lower 32KB開辟EEPROM專用區域的工況，提出使用SECTIONS分配的方式解決與EEPROM和Code可能重合的問題，配合SDK的Flash操作，可以很容易實現EEPROM在任意Flash區域的開辟。