傳三星計(jì)劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
近日,據(jù)媒體報(bào)道,三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數(shù)、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/451755.htm目前,存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)處于緩速?gòu)?fù)蘇階段,大廠們正在追求存儲(chǔ)先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來(lái)看,NAND Flash的堆疊競(jìng)賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND(有望達(dá)到280層)。
據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層),2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。
而DRAM先進(jìn)制程工藝10nm級(jí)別目前來(lái)到了第五代,美光稱之為1β DRAM,三星稱之為1b DRAM。美光于去年10月量產(chǎn)1β DRAM,計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM;三星計(jì)劃于2023年進(jìn)入1bnm工藝階段。
據(jù)披露,三星正在開發(fā)行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的11nm級(jí)DRAM芯片。李政培表示,三星正在為DRAM開發(fā)3D堆疊結(jié)構(gòu)和新材料。
李政培透露稱,在即將到來(lái)的10nm以下DRAM和超過(guò)1000層的V-NAND芯片時(shí)代,新結(jié)構(gòu)和新材料非常重要。
此外,三星將于10月20日在美國(guó)硅谷舉辦三星存儲(chǔ)技術(shù)日2023的活動(dòng),其中,還將推出一些新的存儲(chǔ)器芯片和產(chǎn)品。
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