氮化鎵爭奪戰(zhàn)火熱進行中，規(guī)模超60億元的收購案塵埃落定

今年3月，一場收購案迅速登上氮化鎵（GaN）領(lǐng)域頭條，因為主角是多年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場占有率第一的英飛凌。幾個月過去，這場收購案迎來了結(jié)局。

10月25日，英飛凌官微指出，英飛凌科技于2023年10月24日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。該交易已獲得所有必要的監(jiān)管部門審批，交易結(jié)束后，GaN Systems已正式成為英飛凌的組成部分，并為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。

市場競爭力再上一層樓

2023年3月2日，英飛凌和GaN Systems聯(lián)合宣布，雙方就已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議，英飛凌將以8.3億美元（約合人民幣60.7億元）的價格收購 GaN Systems，此次“全現(xiàn)金”收購交易將使用現(xiàn)有的流動資金來完成。

英飛凌原本的業(yè)務(wù)重心以碳化硅（SiC）為主，通過收購GaN Systems將進一步完善其第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的業(yè)務(wù)版圖。資料顯示，GaN Systems成立于2008年，是一家第三代半導(dǎo)體無晶圓設(shè)計公司，主營業(yè)務(wù)是開發(fā)基于氮化鎵的功率芯片和功率轉(zhuǎn)換解決方案。該公司于2021年在美國納斯達克上市，其總部位于加拿大渥太華，現(xiàn)擁有200多名員工。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示，氮化鎵技術(shù)為打造更加低碳節(jié)能的解決方案掃清了障礙，有助于推動低碳化進程。收購GaN Systems將顯著推進公司的氮化鎵技術(shù)路線圖，并讓公司同時擁有所有主要的功率半導(dǎo)體技術(shù)，進一步增強英飛凌在功率系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

此前據(jù)TrendForce集邦咨詢分析指出，按照2022年的營收來看，GaN功率器件前六大供應(yīng)商分別是PI、Navitas、英諾賽科、EPC公司、GaN Systems、Transphorm。未來，英飛凌加上GaN Systems的市場份額有可能將繼續(xù)擴大。

此外，英飛凌表示，目前，英飛凌共有450名氮化鎵技術(shù)專家和超過350個氮化鎵技術(shù)專利族，這進一步擴大了英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢，并將大幅縮短新產(chǎn)品上市周期。

氮化鎵應(yīng)用不斷擴大

氮化鎵（GaN）是第三代半導(dǎo)體的主要代表材料之一，憑借寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等特性優(yōu)勢，氮化鎵可以滿足各種應(yīng)用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求，可廣泛應(yīng)用于LED、激光器、太陽能電池、無線通訊、快充、工業(yè)和汽車等領(lǐng)域。

從特性上看，氮化鎵的禁帶寬度為3.4eV，大于GaAs（1.424eV）和SiC（3.3eV），這使得GaN具有更高的擊穿電壓和熱穩(wěn)定性，使得氮化鎵在高溫、高頻、高功率電子器件中具有更好的性能；氮化鎵的電子遷移率高達2000cm2/Vs，比GaAs和Si的電子遷移率更高，使得氮化鎵在高頻器件中具有更高的電子速度和更低的導(dǎo)通損耗。 

近年來，隨著性能的提升，氮化鎵的應(yīng)用范圍不斷擴大，目前氮化鎵的應(yīng)用市場正從消費電子市場，向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場擴充。英飛凌認為，未來GaN的全球使用量將會大大超過SiC，并且在多個領(lǐng)域取代SiC的應(yīng)用，尤其是到了2030年。

據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復(fù)合增長率高達65%。

氮化鎵引發(fā)一場爭奪戰(zhàn)？

氮化鎵市場規(guī)模逐漸增長，未來前景可期。與此同時，強烈的需求正驅(qū)動著許多廠商爭先布局，包括英飛凌、BelGaN、DB Hi-Tech、Transphorm、三星電子、英諾賽科、三安光電、賽微電子、華潤微、珠海鎵未來等廠商正在擴充生產(chǎn)線，加速部署氮化鎵產(chǎn)品應(yīng)用落地。

從近期部分廠商動態(tài)來看，英飛凌除了收購GaN Systems，還宣布斥資20億歐元對碳化硅和氮化鎵進行擴產(chǎn)；BelGaN通過收購Onsemi位于比利時的6英寸晶圓廠，計劃將其改造成氮化鎵代工廠。

瑞典公司SweGaN3月宣布正在瑞典林雪平的創(chuàng)新材料集群建設(shè)一個新總部，包括一個大規(guī)模的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施，該項目計劃于今年第二季度末完成，將部署創(chuàng)新制造工藝，以大批量生產(chǎn)下一代GaN-on-SiC工程外延晶圓，預(yù)計年產(chǎn)能將高達4萬片4/6英寸外延片。

據(jù)韓國媒體《BusinessKorea 》7月報導(dǎo)，三星電子即將進軍氮化鎵 （GaN）市場，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。報導(dǎo)引用知情人士的說法指出，三星電子在韓國、美國舉辦的“2023三星晶圓代工論壇”活動宣布，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應(yīng)用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務(wù)。

9月，東科半導(dǎo)體與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。該研發(fā)中心將瞄準國家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以第三代半導(dǎo)體氮化鎵關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用研發(fā)為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術(shù)瓶頸，增強東科半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新能力和市場主導(dǎo)力。

同月，中國科學(xué)院深圳先進技術(shù)研究院光子信息與能源材料研究中心與深圳市納設(shè)智能裝備有限公司成立了先進材料聯(lián)合實驗室，推進產(chǎn)學(xué)研深度融合。雙方除了著重于工藝和設(shè)備的合作外，聯(lián)合實驗室還將對其他半導(dǎo)體先進材料進行研究，如氮化鋁、氮化鎵、石墨烯等先進材料生長設(shè)備及工藝。

10月中旬，格芯宣布已獲得美國提供的3500萬美元聯(lián)邦資金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工廠在硅半導(dǎo)體上制造差異化氮化鎵（GaN）芯片。格芯總裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化鎵是新興市場高性能射頻、高壓功率開關(guān)和控制應(yīng)用的理想技術(shù)，對于6G無線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動汽車非常重要。”