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          納米壓印光刻是否是半導(dǎo)體制造的未來(lái)一步?

          作者: 時(shí)間:2023-10-31 來(lái)源:知兼科技 收藏

          在半導(dǎo)體制造的高科技世界中,在納米尺度上創(chuàng)建復(fù)雜圖案的能力至關(guān)重要。隨著對(duì)更小、更快、更高效的電子設(shè)備的需求不斷增長(zhǎng),對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的需求也在增加。談到(NIL),這種方法承諾將詳細(xì)設(shè)計(jì)的圖案印在基板上??萍季揞^佳能最近推出了其N(xiāo)IL工具,但專(zhuān)家質(zhì)疑它是否能真正挑戰(zhàn)極端紫外線(EUV)光刻術(shù)的主導(dǎo)地位。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202310/452263.htm

          是如何工作

          NIL的核心是一個(gè)簡(jiǎn)單的概念,盡管其執(zhí)行在技術(shù)上可能具有挑戰(zhàn)性。該過(guò)程涉及使用模具或模板在基板上物理“沖壓”出圖案。簡(jiǎn)要過(guò)程如下:

          1. 創(chuàng)建一個(gè)具有納米級(jí)模式的模板。

          2. 基板,通常是硅片,涂有光刻膠(resist),這是一種對(duì)溫度或光的變化敏感的材料。

          3. 模板被壓在光刻膠上。根據(jù)光刻膠的類(lèi)型,它可以被熱量軟化或使用紫外線凝固來(lái)呈現(xiàn)圖案。

          4. 壓印之后拿走模板,留下所需的圖案。

          5. 使用蝕刻等其他工藝將圖案深入基材中。

          NIL的魅力在于潛在低成本獲得高分辨率圖案的潛力。通過(guò)繞過(guò)復(fù)雜的光學(xué)或光源,從理論上講,這種方法可以比其他平版印刷形式更簡(jiǎn)單、更便宜。

          NIL與EUV:技術(shù)比較

          要理解NIL的重要性,人們必須了解它現(xiàn)在突然又冒出來(lái)的背景。極端紫外線(EUV)光刻是一種使用約13.5納米的波長(zhǎng)將圖案投射到晶圓上的方法,是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)。EUV機(jī)器雖然擁有令人印象深刻的精度,但面臨著自己的一系列挑戰(zhàn)——復(fù)雜性、高功耗和可觀的成本。

          NIL以其直接壓印方法繞過(guò)了其中一些障礙。它可以提供高分辨率、簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)、潛在的成本節(jié)約和減少碳足跡。然而,它并非沒(méi)有挑戰(zhàn)。

          佳能的NIL:革命性的飛躍還是正在進(jìn)行的研發(fā)

          佳能用其FPA-1200NZ2C工具涉足NIL領(lǐng)域引起了業(yè)界的關(guān)注。然而,業(yè)界對(duì)該技術(shù)也有不少保留意見(jiàn):

          - 精度和質(zhì)量:最明顯的擔(dān)憂之一是該工具的精度。據(jù)報(bào)道,在一個(gè)即使是最小的錯(cuò)誤都可能導(dǎo)致重大后果的行業(yè)中,佳能的技術(shù)很難匹配EUV提供的質(zhì)量。

          - 缺陷問(wèn)題:半導(dǎo)體研發(fā)組織imec的Cedric Rolin強(qiáng)調(diào)了納米壓印技術(shù)的“相當(dāng)高”缺陷率。這種比率可能會(huì)阻礙大規(guī)模采用,特別是在大批量制造場(chǎng)景中。

          - 相對(duì)不成熟:Gartner的Gaurav Gupta指出,雖然新技術(shù)在紙面上可能看起來(lái)很有希望,但在現(xiàn)實(shí)世界制造環(huán)境中的實(shí)際采用可能需要時(shí)間。他的言論暗示了普遍的行業(yè)情緒:雖然NIL有潛力,但其成熟度可能還不能與EUV相提并論。他還質(zhì)疑,為什么如果該工具可以實(shí)現(xiàn)5納米節(jié)點(diǎn),那么可能更容易實(shí)現(xiàn)的舊節(jié)點(diǎn)并沒(méi)有采用這項(xiàng)技術(shù)。

          - 分辨率:來(lái)自Semiconductor Advisors的Robert Maire等專(zhuān)家指出了分辨率和對(duì)齊的潛在問(wèn)題,特別是在考慮將NIL用于大量現(xiàn)實(shí)世界場(chǎng)景時(shí)。

          NIL的前進(jìn)之路

          盡管持懷疑態(tài)度,但不要忽視NIL帶來(lái)的潛在優(yōu)勢(shì)至關(guān)重要。由于不使用復(fù)雜的光源,其碳足跡較小,使其成為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的環(huán)保選擇。此外,佳能聲稱(chēng)進(jìn)一步改進(jìn)可能會(huì)看到NIL實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的模式,這表明該技術(shù)遠(yuǎn)未達(dá)到頂峰。

          此外,雖然目前的焦點(diǎn)是半導(dǎo)體應(yīng)用,但NIL的潛力遠(yuǎn)不止于此。該方法可以在納米尺度模式有益的其他行業(yè)中找到用途,為佳能和其他NIL先驅(qū)提供多樣化的增長(zhǎng)途徑。

          總之,融合了簡(jiǎn)單性、潛在的成本效益和高分辨率,是半導(dǎo)體領(lǐng)域一個(gè)令人興奮的前景。雖然佳能目前的技術(shù)引起了相當(dāng)多的懷疑,但該技術(shù)的固有優(yōu)勢(shì)預(yù)示著一個(gè)充滿(mǎn)希望的未來(lái)。像所有創(chuàng)新一樣,只有時(shí)間才能揭示NIL是否成為半導(dǎo)體制造的一個(gè)重大技術(shù)變革,或者只是對(duì)于EUV技術(shù)的補(bǔ)充。




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