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          三星、美光計劃擴大HBM產能

          作者: 時間:2023-11-08 來源: 收藏

          在消費級存儲市場低迷的背景下,高帶寬存儲器()技術已成為新的驅動力,最新報告指出兩家公司正積極籌備擴張 DRAM 。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202311/452651.htm

          耗資105億韓元,收購了顯示位于韓國天安市的某些工廠和設備,以擴大產能。三星還計劃再投資7000億至1萬億韓元,用于新建新的封裝線。

          此前報道,三星副總裁兼DRAM產品和技術團隊負責人Hwang Sang-jun先生透露,三星已開發(fā)出速度為9.8Gbps的HBM3E,并計劃開始向客戶提供樣品。同時,三星還正在開發(fā)HBM4的各種技術,包括針對高溫熱特性和混合鍵合(HCB)優(yōu)化的非導電膠膜(NCF)組裝技術等,目標是到2025年推出。

          也在積極籌備HBM生產,于11月6日在臺中開設了新工廠。表示,這個新設施將集成先進的測試和封裝功能,并將致力大規(guī)模生產HBM3E以及其他產品,旨在滿足人工智能、數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和云服務等各種應用日益增長的需求。

          美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露,計劃在2024年初開始大量出貨HBM3E,目前正在接受NVIDIA的認證。最初的HBM3E產品將采用8-Hi堆棧設計,容量為24GB,帶寬超過1.2TB/s。

          此外,美光還計劃在2024年推出更大容量的36GB的12-Hi堆棧HBM3E。在早些時候的一份聲明中,美光預計到2024年,新的HBM技術將貢獻“數(shù)億美元”的收入。



          關鍵詞: 三星 美光 HBM

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