美光公布存儲最新路線圖
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存儲器大廠美光近期公布最新路線圖，包括DDR5、GDDR7和HBM4E存儲器技術(shù)，其中GDDR7正好趕上明年底下一代英偉達(dá)GPU芯片。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202311/452893.htm美光最新路線圖延長至2028年，比7月發(fā)布時(shí)延長兩年，內(nèi)容也調(diào)整過，增加幾款新產(chǎn)品。美光目前第二代HBM3運(yùn)行速度為1.2TB/s，為8層堆疊，預(yù)計(jì)2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過1.5TB/s；到2027~2028年，將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達(dá)2TB/s以上。
至于GDDR7上市時(shí)間有些改變，從2024上半年延后到年底，與目前最快的GDDR6X模組（最高容量為16Gb，帶寬為24Gb/s）相比，容量和帶寬都提高。首批GDDR7容量提高至24Gb，帶寬為32Gb/s；到2026年下半年，會推出更快的GDDR7，帶寬和容量將增至36Gb/s。
英偉達(dá)曾表示Blackwell將于2025年面世，而英偉達(dá)下一代GeForce RTX50系列有望使用美光GDDR7存儲器。
DDR5存儲器部分，美光為消費(fèi)者和數(shù)據(jù)中心設(shè)定不同的產(chǎn)品線，計(jì)畫基礎(chǔ)是新32Gb單體設(shè)計(jì)。這種高容量模組將應(yīng)用于128GB DDR5-8000內(nèi)存條，一直延伸至2026年供桌機(jī)用戶使用。
同時(shí)美光還開發(fā)用于服務(wù)器的MCRDIMM產(chǎn)品，速度為8000MT/s。這種設(shè)計(jì)的巔峰將是2025年底推出的256GB內(nèi)存條，運(yùn)行速度為12800Mb/s。
在移動領(lǐng)域部分，美光將在2024年底采用DellCAMM標(biāo)準(zhǔn)，焦點(diǎn)似乎在提高容量而非帶寬，公司也表示將在2026年前使用8533Mb/s速率的內(nèi)存條。第一代設(shè)計(jì)每條將提供16GB至128GB容量，到2026下半年，每個(gè)模組容量將增至192GB或更高。
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