MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算
MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn),習(xí)慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454671.htm如果上管和下管同時導(dǎo)通,就會導(dǎo)致電源短路,MOS 管會損壞,甚至?xí)r電源損壞,這種損壞是災(zāi)難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導(dǎo)通,造成短路現(xiàn)象,從而引入了死區(qū)的概念,也就是上下管同時關(guān)斷的區(qū)間,如圖Figure2 中的E 和 F.
死區(qū)E---tDf: 上管關(guān)斷,下管還沒開啟,下管體二極管續(xù)流,電流從最大值Io + ΔI/2 開始下降,由于死區(qū)時間很短,工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)E的電流恒定,以方便計(jì)算。
死區(qū)E對應(yīng)的功耗為:
死區(qū)F---tDr: 下管關(guān)斷,上管還沒開啟,下管體二極管續(xù)流,電流接近最小值Io - ΔI/2 ,由于死區(qū)時間很短,工程上計(jì)算可以近似為死區(qū)F的電流恒定,以方便計(jì)算。
死區(qū)F對應(yīng)的功耗為:
工程上快速估算時,也會用把兩個死區(qū)的電流平均化,近似用Io替代, 一個完整的開關(guān)周期的死區(qū)損耗如下:
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