MOS 管的死區(qū)損耗計算
MOS 管在逆變電路,開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn),習慣上稱之為上管和下管,如圖Figure 1中的同步Buck 變換器,High-side MOSFET 為上管, Low-side MOSFET為下管.
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454671.htm如果上管和下管同時導通,就會導致電源短路,MOS 管會損壞,甚至時電源損壞,這種損壞是災難行動,必須避免.由于MOS 的開通和關斷都是有時沿的,為了避免上管和下管同時導通,造成短路現(xiàn)象,從而引入了死區(qū)的概念,也就是上下管同時關斷的區(qū)間,如圖Figure2 中的E 和 F.
死區(qū)E---tDf: 上管關斷,下管還沒開啟,下管體二極管續(xù)流,電流從最大值Io + ΔI/2 開始下降,由于死區(qū)時間很短,工程上計算可以近似為死區(qū)E的電流恒定,以方便計算。
死區(qū)E對應的功耗為:
死區(qū)F---tDr: 下管關斷,上管還沒開啟,下管體二極管續(xù)流,電流接近最小值Io - ΔI/2 ,由于死區(qū)時間很短,工程上計算可以近似為死區(qū)F的電流恒定,以方便計算。
死區(qū)F對應的功耗為:
工程上快速估算時,也會用把兩個死區(qū)的電流平均化,近似用Io替代, 一個完整的開關周期的死區(qū)損耗如下:
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