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          瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術擴展電源產品陣容

          —— 增強瑞薩寬禁帶專業知識和產品路線圖發展,以應對電動汽車、數據中心、 人工智能電源以及可再生能源快速增長的市場機遇
          作者:時間:2024-01-11來源:電子產品世界收藏

          全球半導體解決方案供應商電子(以下“”,TSE:6723)與全球氮化鎵()功率半導體供應商, Inc.(以下“”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布雙方已達成最終協議,根據該協議,子公司將以每股5.10美元現金收購所有已發行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤價溢價約35%,較過去十二個月的成交量加權平均價格溢價約56%,較過去六個月的成交量加權平均價格溢價約78%。此次交易對Transphorm的估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供(功率半導體的下一代關鍵材料)的內部技術,從而擴展其在電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202401/454699.htm

          作為碳中和的基石,對高效電力系統的需求正在不斷增加。為了應對這一趨勢,相關產業正在向以碳化硅(SiC)和為代表的寬禁帶(WBG)材料過渡。這些先進材料比傳統硅基器件具備更廣泛的電壓和開關頻率范圍。在此勢頭下,瑞薩已宣布建立一條內部SiC生產線,并簽署了為期10年的SiC晶圓供應協議。

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          Transphorm CEO Primit Parikh博士及瑞薩CEO柴田英利 

          瑞薩現目標是利用Transphorm在GaN方面的專業知識進一步擴展其WBG產品陣容。GaN是一種新興材料,可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸。這些優勢使客戶的系統具有更高效、更小、更輕的結構以及更低的總體成本。也因此,根據行業研究,GaN的需求預計每年將增長50%以上。瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型電源解決方案,例如用于電動汽車的X-in-1動力總成解決方案,以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

          瑞薩首席執行官柴田英利表示:“Transphorm是一家由來自加州大學圣塔芭芭拉分校、并扎根于GaN功率、經驗豐富的團隊所領導的公司。Transphorm GaN技術的加入增強了我們在IGBT和SiC領域的發展勢頭。它將推動和擴大我們的關鍵增長支柱之一的功率產品陣容,使我們的客戶能夠選擇最佳的電源解決方案?!?/p>

          Transphorm聯合創始人、總裁兼首席執行官Primit Parikh博士以及Transphorm聯合創始人兼首席技術官Umesh Mishra博士表示:“結合瑞薩全球布局、廣泛的解決方案和客戶關系,我們很高興能為WBG材料的行業廣泛采用鋪平道路,為其顯著增長奠定基礎。這項交易還將使我們能夠為客戶提供進一步擴展服務,并為我們的股東帶來可觀的即時現金價值。此外,它將為我們杰出的團隊提供一個強大的平臺,以進一步發展Transphorm卓越的GaN技術和產品?!?/p>

          交易明細

          Transphorm董事會已一致批準最終協議,并建議Transphorm股東通過該最終交易并批準合并。在簽署最終協議的同時,持有Transphorm約38.6%已發行普通股的KKR Phorm Investors L.P.已與瑞薩簽訂慣例投票協議以支持本次交易。

          該交易預計將于2024年下半年完成,但需獲得Transphorm股東的批準、監管部門的許可和其他慣例成交條件的滿足。 



          關鍵詞: 瑞薩 Transphorm GaN

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