爭奪ASML最強EUV設備敗北，臺積電下一步怎么走？

英特爾沖刺晶圓代工事業，已成為 ASML 首臺最新型 High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光光刻系統）的買家，預計 2025 年用這款設備生產先進制程芯片，臺積電則按兵不動。臺積電如何保持制程技術領先地位，引發關注。

據 Tom's Hardware 報道，英特爾已收到 ASML 第一臺最新型高數值孔徑 EUV 光刻機，英特爾在接下來幾年，打算將此系統部署到 18A（即 1.8nm）后的制程節點，據悉，這種最先進的 EUV 設備，將被運往英特爾位于俄勒岡州的 D1X 工廠。英特爾和 ASML 發言人沒有對該系統的目的地發表評論。

目前，EUV 光刻機可以支持芯片制造商將芯片工藝推進到 3nm 左右，但芯片制造商如果要繼續推進到 2nm，甚至更小的尺寸，就需要更高數值孔徑的 High-NA 曝光機。相較于目前的 0.33 數值孔徑的 EUV 光刻機，High-NA EUV 光刻機將數值孔徑提升到 0.55，可進一步提升分辨率。根據瑞利公式，NA 越大，分辨率越高。

之前，英特爾購買了 ASML 的 EUV 設備 Twinscan EXE：5000，英特爾正在使用它來學習如何更好地使用 High-NA EUV 設備，并用于 18A 制程工藝技術研發，獲得了寶貴的經驗，該公司計劃從 2025 年開始使用 Twinscan EXE：5200 量產 18A 制程芯片。

配備 0.55 NA 鏡頭的 High-NA EUV 光刻設備可實現 8nm 的分辨率，與配備 0.33 NA 鏡頭的標準 EUV 相比，進步顯著，該鏡頭提供 13nm 分辨率。預計高數值孔徑技術將在后 2nm 級工藝技術中發揮至關重要的作用，這些技術要么需要使用低數值孔徑 EUV 雙重圖案化，要么需要使用高數值孔徑 EUV 單圖案化。

相比之下，臺積電并不急于在短期內采用高數值孔徑 EUV，華興資本董事總經理吳思浩（SzeHo Ng）說，臺積電可能需要數年時間才能在 2030 年或以后趕上這一潮流。

SemiAnalysis 和華興資本分析師指出，臺積電暫時不會跟進采用這項技術，主因在于，使用高數值孔徑 EUV 的成本，可能比使用 Low-NA EUV 還高，至少在初期是這樣，盡管低成本的代價是生產出來的晶體管密度較低。

臺積電 2019 年開始使用 EUV 光刻工具大量生產芯片，比三星晚幾個月，但比英特爾早幾年，推測英特爾想透過高數值孔徑 EUV，領先于三星代工和臺積電，這可以確保一些戰術和戰略利益。唯一的問題是，如果臺積電在 2030 年或以后（即比英特爾晚 4~5 年），才開始采用高數值孔徑光刻技術，是否還能維持制程技術的領先地位？

根據 ASML 介紹，最新型高數值孔徑 EUV 光刻機的造價成本超過 3 億美元，可以滿足一線芯片制造商的需求，在未來十年內能夠制造出更小、更好的芯片。

ASML 新 CEO 將訪臺積電

近日，ASML 候任 CEO 富凱（Christophe Fouquet）將率公司高層訪臺，供應鏈傳出其將拜訪臺積電和相關供應鏈廠商，討論新一代 EUV 設備。

ASML 管理層親訪臺積電，是否是為新型 High-NA EUV 訂單，臺積電尚未證實，然而，臺積電將多方嘗試各種可能，包含在先進封裝領域之投注。

法人指出，High-NA EUV 造價成本超過 3 億美元，按成本效益權衡，臺積電暫不急于采用，由于該公司美國建廠迫在眉睫，估計未來資本支出將大幅往海外擴廠傾斜。

富凱 2008 年加入 ASML，歷任多項管理職位，現為 ASML 執行副總裁兼商務長，今年 4 月將接替 CEO 溫彼得（Peter Wennink）。如何維持 ASML 市場領導地位，同時在美中關系緊張之際維持銷售成績，成富凱接任后的最大挑戰。溫彼得任期屆滿后將退休，自 2013 年 7 月擔任 CEO 以來，公司營收增長 4 倍、股價飆漲 10 倍，并在任內進行 4 次收購，也讓 ASML 稱霸光刻設備市場。

英特爾明年將購買 10 臺 High-NA EUV 中的 6 臺

根據 TrendForce 集邦咨詢的一份報告，英特爾將在 2024 年獲得 ASML 的大部分 0.55 數值孔徑 EUV 光刻機。

據悉，2024 年，ASML 將生產 10 臺 High-NA EUV（Twinscan EXE：5200 掃描儀，英特爾將獲得其中的 6 臺，將在 2025 年及以后用于使用 18A 或其它制程工藝的芯片生產。

Twinscan EXE 的使用可能會對公司的生產周期產生積極影響，盡管很難說這是否會對英特爾的成本產生積極影響，因為這些機器將比 Twinscan NXE：3600D 或 NXE：3800E 貴得多（有人說在 3 億~4 億美元之間），后者已經超過 2 億美元。此外，由于高數值孔徑光刻設備的光罩尺寸小兩倍，因此它們的使用方式將與我們在典型 EUV 機器上看到的不同。

在高數值孔徑學習方面，英特爾將領先于其競爭對手，這將為其帶來多項優勢。具體來說，由于英特爾很可能是第一家使用高數值孔徑工具啟動大批量生產的公司，因此晶圓廠工具生態系統將不可避免地遵循其要求。上述要求可能會轉化為行業標準，這可能會使英特爾比臺積電和三星更具優勢。

但英特爾的競爭對手也在尋求獲得高數值孔徑 EUV。三星電子副董事長兼設備解決方案部門負責人 Kyung Kye-hyun 本周表示，該公司與 ASML 就采購高數值孔徑 EUV 達成協議。

「三星已經確保了高數值孔徑設備技術的優先權，」Kyung Kye-hyun 說：「我相信，從長遠來看，我們創造了一個機會，可以優化高數值孔徑技術在 DRAM 存儲芯片和邏輯芯片生產中的使用?！?/p>