10張圖,看未來十年邏輯電路將走向何方
在 2024 年 SEMI 國際戰(zhàn)略研討會上,筆者從技術(shù)、經(jīng)濟和可持續(xù)發(fā)展的角度審視十年后邏輯電路將走向何方。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202402/455558.htm為了理解邏輯電路,筆者相信了解前沿邏輯器件的構(gòu)成是有用的。TechInsights 提供了詳細的封裝分析報告,筆者為 10 種 7 納米和 5 納米級設(shè)備做了報告,包括英特爾和 AMD 微處理器、蘋果 A 系列和 M 系列處理器,NVIDIA GPU 和其他設(shè)備。圖 1 說明了芯片區(qū)域的構(gòu)成。
從圖 1 中可以看出,邏輯部分占芯片面積略小于二分之一,內(nèi)存部分略小于芯片面積的三分之一,而 I/O、模擬和其他部分則占平衡。有趣的是,實際測量的 SRAM 內(nèi)存面積比筆者通常聽到人們談?wù)摰钠舷到y(tǒng) (SOC) 產(chǎn)品的百分比要小得多。
單一邏輯幾乎占據(jù)了芯片面積的一半,所以從邏輯部分開始設(shè)計是有意義的。邏輯設(shè)計是使用標準單元完成的,圖 2 是標準單元的平面圖。
圖 2. 標準單元
標準單元的高度通常被描述為 Metal 2 Pitch(M2P)乘以磁道數(shù),但從圖的右側(cè)看,器件結(jié)構(gòu)的橫截面圖也必須與單元高度相匹配并受到設(shè)備物理的限制。依賴于接觸多晶硅間距(CPP)的單元寬度也是如此,并且在圖的底部可以看到再次受到物理約束的器件結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
圖 3 顯示了確定單元寬度和單元高度縮放實際限制的分析結(jié)果。筆者有一個演示文稿詳細介紹了縮放限制,在該演示文稿中,圖 2 和圖 3 之間有數(shù)十張幻燈片,但由于時間有限,筆者只能展示結(jié)論。
圖 3. 邏輯單元縮放
單元寬度縮放取決于 CPP,圖的左側(cè)說明了 CPP 如何由柵極長度 (Lg)、接觸寬度 (Wc) 和兩個接觸到柵極間隔物厚度 (Tsp) 組成。Lg 受泄漏限制,可接受泄漏的最小 Lg 取決于器件類型。具有控制無約束厚度溝道表面的單柵的平面器件被限制在大約 30 nm。Fin FET 和水平納米片(HNS)約束溝道厚度(~5nm),分別有 3 個和 4 個柵極。最后,二維材料引入小于 1nm 溝道厚度的非硅材料,并且可以生產(chǎn)低至約 5 nm 的 Lg。由于寄生效應(yīng),Wc 和 Tsp 的擴展能力都有限。最重要的是,2D 器件可能會產(chǎn)生約 30 納米的 CPP,而當(dāng)今的 CPP 約為 50 納米。
圖的右側(cè)示出了單元高度縮放。HNS 提供單納米片疊層代替多個鰭片。然后演變到具有 CFET 的堆疊器件消除了水平 n-p 間距,并堆疊 nFet 和 pFET。目前 150nm 至 200nm 的電池高度可降低至約 50nm。
CPP 和單元高度縮放的結(jié)合可以產(chǎn)生每平方毫米約 15 億個晶體管 (MTx/mm2) 的晶體管密度,而當(dāng)今的晶體管密度<300MTx/mm2。應(yīng)該指出的是,2D 材料可能是 2030 年中后期的技術(shù),因此 1,500 MTx/mm2 不在此處討論的時間范圍內(nèi)。
圖 4. 三大巨頭公布的流程
圖 4 總結(jié)了英特爾、三星和臺積電宣布的工藝進程。對于每個公司和年份,都會顯示設(shè)備類型、是否使用背面電源、密度、功率和性能(如果有)。
在圖 4 中,領(lǐng)先的性能和技術(shù)創(chuàng)新以粗體突出顯示。三星是第一個在 2023 年投產(chǎn) HNS 的公司,而英特爾直到 2024 年才會推出 HNS,臺積電直到 2025 年才會推出。英特爾是第一個在 2024 年將背面電源引入生產(chǎn)的公司,三星和臺積電要到 2026 年才會引入背面電源。
筆者的分析得出結(jié)論,英特爾是 i3 的性能領(lǐng)先者,并維持這一狀態(tài)所示期間,臺積電有功率領(lǐng)先(英特爾數(shù)據(jù)不可用)和密度領(lǐng)先。
圖 5. 邏輯路線圖
圖 5 展示了邏輯路線圖,并包括預(yù)計的 SRAM 單元尺寸。從圖 5 中,筆者預(yù)計 CFET 將在 2029 年左右推出,從而提高邏輯密度,并將 SRAM 單元尺寸縮小近一半(SRAM 單元尺寸的縮放幾乎停止在前沿)。筆者預(yù)計到 2034 年邏輯密度將達到 757MTx/mm2。
邏輯晶體管密度預(yù)測和 SRAM 晶體管密度預(yù)測如圖 6 所示。
圖 6. 晶體管密度預(yù)測
邏輯和 SRAM 的晶體管密度縮放都在變慢,但更大程度上 SRAM 和邏輯現(xiàn)在具有相似的晶體管密度。
圖 7 總結(jié)了臺積電邏輯和 SRAM 相比的模擬縮放數(shù)據(jù)。模擬和 I/O 縮放也都比邏輯縮放慢。
圖 7. 模擬和 I/O 縮放
對于較慢的 SRAM 以及模擬和 I/O 擴展,一個可能的解決方案是小芯片。小芯片可以實現(xiàn)更便宜、更優(yōu)化的工藝來制造 SRAM 和 I/O。
圖 8. 小芯片
圖 8 右側(cè)的圖形來自 2021 年我與 Synopsys 合作撰寫的一篇論文。我們的結(jié)論是,即使考慮到增加的封裝/組裝成本,將大型 SOC 分解成小芯片也可以將成本降低一半。
圖 9. 成本預(yù)測
圖 9 顯示了邏輯、SRAM 和 I/O 的標準化晶圓和晶體管成本。右圖顯示了標準化晶圓成本。邏輯晶圓成本針對金屬層數(shù)量不斷增加的全金屬堆棧。SRAM 晶圓具有相同的節(jié)點,但由于 SRAM 的布局更為規(guī)則,因此僅限于 4 個金屬層。I/O 晶圓成本基于 16nm-11 金屬工藝。筆者選擇 16nm 來獲得成本最低的 FinFET 節(jié)點,以確保足夠的 I/O 性能。
右圖是晶圓成本換算成晶體管成本。有趣的是,I/O 晶體管非常大,即使在低成本 16nm 晶圓上,它們的成本也是最高的(I/O 晶體管尺寸基于 TechInsights 對實際 I/O 晶體管的測量)。
邏輯晶體管成本在 2nm 處上升,這是第一個臺積電 HNS 片節(jié)點,其收縮幅度不大。我們預(yù)計第二代 HNS 節(jié)點在 14A 時的收縮會更大((這與臺積電第一個 FinFET 節(jié)點類似)。同樣,第一個 CFET 節(jié)點的成本也增加了一個節(jié)點的晶體管成本。除了一次性 CFET 縮小之外,由于縮小有限,SRAM 晶體管成本呈上升趨勢。該分析的底線是,盡管 Chiplet 可以提供一次性的好處,但晶體管成本的降低幅度將會不大。
圖 10 結(jié)論
總之,筆者預(yù)測,到 2034 年高密度邏輯晶體管密度將從今天的 283MTx/mm2 增加到 757MTx/mm2。由于 CFET 的變化,SRAM 單元尺寸將從今天的 0.0209um2 縮小到 0.0099um2。邏輯晶體管成本將降至 0.82x,SRAM 將增加到 1.09x,L/0 將增加到目前成本的 0.83 倍。
芯片巨頭們已著手研發(fā)下一代 CFET 技術(shù)
英特爾 (Intel) 和臺積電將在國際電子元件會議 (IEDM) 公布垂直堆疊式 (CFET) 場效晶體管進展,使 CFET 成為十年內(nèi)最可能接替閘極全環(huán)電晶 (GAA ) 晶體管的下一代先進制程。
英特爾的 GAA 設(shè)計堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)是在 imec 的幫助下開發(fā)的,設(shè)計旨在增加晶體管密度,通過將 n 和 p 兩種 MOS 器件相互堆疊在一起,并允許堆疊 8 個納米片(RibbonFET 使用的 4 個納米片的兩倍)來實現(xiàn)更高的密度。目前,英特爾正在研究兩種類型的 CFET,包括單片式和順序式,但尚未確定最終采用哪一種,或者是否還會有其他類型的設(shè)計出現(xiàn),未來應(yīng)該會有更多細節(jié)信息公布。
此前在 2021 年的「英特爾加速創(chuàng)新:制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會」上,英特爾已經(jīng)確認了 RibbonFET 將成歷史,在其 20A 工藝上,將引入采用 Gate All Around(GAA)設(shè)計的 RibbonFET 晶體管架構(gòu),以取代自 2011 年推出的 FinFET 晶體管架構(gòu)。新技術(shù)將加快了晶體管開關(guān)速度,同時實現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動電流,但占用的空間更小。
雖然,大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主,但英特爾和臺積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā),借此積極探索這種下一代先進晶體管技術(shù)。
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