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          美光開始量產行業領先的HBM3E解決方案,加速人工智能發展

          —— 美光HBM3E比競品功耗低 30%,助力數據中心降低運營成本
          作者:時間:2024-03-04來源:電子產品世界收藏

          全球解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司)近日宣布已開始量產其 HBM3E 高帶寬 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E ,并于 2024 年第二季度開始出貨。通過這一里程碑式進展持續保持行業領先地位,并且憑借 HBM3E 的超凡性能和能效為人工智能(AI)解決方案賦能。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202403/455972.htm

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          HBM3E:推動人工智能革命

          隨著人工智能需求的持續激增,內存解決方案對于滿足工作負載需求的增加至關重要。美光 HBM3E 解決方案通過以下優勢直面這一挑戰:

          ●   卓越的性能:美光 HBM3E 引腳速率超過 9.2Gb/s,提供超過 1.2TB/s 的內存帶寬,助力人工智能加速器、超級計算機和數據中心實現超高速的數據訪問。

          ●   出色的能效:美光 HBM3E 功耗比競品低約 30%, 處于行業領先地位。為支持日益增長的人工智能需求和用例,HBM3E 以更低功耗提供更大吞吐量,從而改善數據中心的主要運營支出指標。

          ●   無縫的可擴展性:美光 HBM3E 目前提供 24 GB 容量,使數據中心能夠無縫擴展其人工智能應用。無論是用于訓練海量神經網絡還是加速推理任務,美光的解決方案都提供了必要的內存帶寬。

          美光執行副總裁暨首席商務官 Sumit Sadana 表示:“美光憑借 HBM3E 這一里程碑式產品取得了三大成就:領先業界的上市時間、引領行業的性能和出眾的能效表現。人工智能工作負載在很大程度上依賴于內存帶寬和容量。美光擁有業界領先的 HBM3E 和 HBM4 產品路線圖,以及為 AI 應用打造的 DRAM 和 NAND 全套解決方案,為助力人工智能未來的大幅增長做足了準備?!?/p>

          美光利用其 1β(1-beta)技術、先進的硅通孔(TSV)和其他實現差異化封裝解決方案的創新技術開發出業界領先的 HBM3E 設計。美光作為 2.5D/3D 堆疊和先進封裝技術領域長久以來的領導廠商,有幸成為臺積電 3Dfabric 聯盟的合作伙伴成員,共同構建半導體和系統創新的未來。

          美光將于 2024 年 3 月出樣 12 層堆疊的 36GB 容量 HBM3E,提供超過 1.2TB/s 的性能和領先于競品的卓越能效,從而進一步強化領先地位。美光將贊助 3 月 18 日開幕的英偉達 GTC 全球人工智能大會,屆時將分享更多前沿 AI 內存產品系列和路線圖。



          關鍵詞: 美光 存儲 內存

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