存儲大廠10億美元加碼HBM先進封裝

SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長認為，半導體行業前50年都在專注芯片本身的設計和制造，但是，下一個 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開。

據彭博社報道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國投資超過10億美元，用于擴大和改進其芯片制造的最后步驟，即先進封裝。前三星電子工程師、現任 SK Hynix 封裝開發主管的李康旭表示，推進封裝工藝創新是提高HBM性能、降低功耗的關鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場領先地位的必由之路。

高度聚焦先進封裝
SK海力士HBM不斷擴產

SK海力士在最近的財報中表示，計劃在2024年增加資本支出，并將生產重心放在HBM等高端存儲產品上，HBM的產能對比去年將增加一倍以上。此前海力士曾預計，到2030年其HBM出貨量將達到每年1億顆，并決定在2024年預留約10萬億韓元（約合76億美元）的設施資本支出——相較2023年6萬億-7萬億韓元的預計設施投資，增幅高達43%-67%。

此前韓媒消息顯示，SK海力士擴產的重點是新建和擴建工廠，去年6月有韓媒報道稱，SK海力士正在準備投資后段工藝設備，將擴建封裝HBM3的利川工廠，預計到今年年末，該廠后段工藝設備規模將增加近一倍。

從三星、SK海力士、美光三大存儲原廠的公開信息來看，三大存儲巨頭對于2024年存儲市場復蘇有著一致的預期，即好于2023年。雖然三大廠商仍然對傳統存儲產品的投產仍然保持謹慎，但對HBM和DDR5的需求信心十足，且已將投資和產能主要轉向HBM和DDR5的生產。

值得關注的是，李康旭在HBM研究方面頗有成就。2000年，他就3D集成微系統技術獲得日本東北大學博士學位。2002年，他加入三星存儲部門，主導Through-Silicon Via(TSV)3D封裝技術的開發，這為后來的HBM技術奠定了基礎。

不過，三星后續對HBM技術的注意力轉移到了其他方向，全球芯片廠商也普遍將封裝測試外包給亞洲國家。因此，當SK海力士于2013年推出首款HBM就獲得了先發優勢。直至2015年底，三星開發出HBM2與其競爭。

目前， 李康旭正協助SK海力士開創了封裝第三代HBM2E技術的新方法，這項技術創新是SK海力士在2019年底贏 NVIDIA客戶地位的關鍵。李康旭近期表示，SK海力士正在將大部分新投資投入到推進MR-MUF和TSV技術中。

傳HBM良率僅65%
大廠力爭通過英偉達測試

據據韓媒報道，近期英偉達的質量測試對存儲廠商提出挑戰，因為相比傳統DRAM產品，HBM的良率明顯較低。

消息稱美光、SK海力士等存儲廠商正在英偉達下一代AI GPU的資格測試中將進行競爭。據悉，目前HBM存儲芯片的整體良率在65%左右，其中美光、SK海力士似乎在這場競爭中處于領先地位，還在加速提升良率，近期可能率先迎來突破。

HBM良率的高低主要受到其堆疊架構復雜性的影響，這涉及到多層次的內存結構和作為各層連接之用的直通硅晶穿孔（TSV）技術。這些復雜技術增加了制程缺陷的風險，可能導致良率低于設計較簡單的內存產品。此外，由于HBM只要有一個芯片存在缺陷，整個封裝就需要被丟棄，因此產量相對較低。

市場最新消息顯示，盡管面臨挑戰，美光已于2月26日宣布開始量產高頻內存“HBM3E”，這將應用于英偉達最新的AI芯片“H200” Tensor Core圖形處理器（GPU）。H200計劃于2024年第二季度出貨，以取代當前算力最強大的H100。

與此同時，SK海力士副社長金起臺(Kim Ki-tae) 在2月21日的官方博客中表示，盡管外部不穩定因素仍存，但今年內存市場有望逐漸回暖。這主要得益于全球大型科技客戶產品需求的恢復，以及PC或智能手機等AI設備對人工智能應用的需求增長，這不僅有望提升HBM3E的銷量，還可能增加DDR5、LPDDR5T等產品的需求。

近期，SK海力士副社長金起臺表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。