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          我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)完成新型光刻膠技術(shù)初步驗(yàn)證:為EUV光刻膠開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備

          作者: 時(shí)間:2024-04-02 來(lái)源:快科技 收藏

          4月2日消息,據(jù)湖北九峰山實(shí)驗(yàn)室官微消息,九峰山實(shí)驗(yàn)室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì),支持華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)突破“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大”技術(shù)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457121.htm

          據(jù)介紹,該研究通過(guò)巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),以兩種光敏單元構(gòu)建“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大”,最終得到光刻圖像形貌與線邊緣粗糙度優(yōu)良、space圖案寬度值正態(tài)分布標(biāo)準(zhǔn)差(SD)極?。s為0.05)、性能優(yōu)于大多數(shù)商用。

          且光刻顯影各步驟所需時(shí)間完全符合半導(dǎo)體量產(chǎn)制造中對(duì)吞吐量和生產(chǎn)效率的需求。

          我國(guó)科研團(tuán)隊(duì)完成新型光刻膠技術(shù)初步驗(yàn)證:為EUV光刻膠開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備

          作為半導(dǎo)體制造不可或缺的材料,光刻膠質(zhì)量和性能是影響集成電路電性、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。但光刻膠技術(shù)門(mén)檻高,市場(chǎng)上制程穩(wěn)定性高、工藝寬容度大、普適性強(qiáng)的光刻膠產(chǎn)品屈指可數(shù)。

          當(dāng)半導(dǎo)體制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)入到100nm甚至是10 nm以下,如何產(chǎn)生分辨率高且截面形貌優(yōu)良、線邊緣粗糙度低的光刻圖形,成為光刻制造的共性難題。

          該研究成果有望為光刻制造的共性難題提供明確的方向,同時(shí)為EUV光刻膠的著力開(kāi)發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備。

          上述具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光刻膠體系在產(chǎn)線上完整了初步工藝驗(yàn)證,并同步完成了各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的檢測(cè)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)開(kāi)發(fā)到成果轉(zhuǎn)化的全鏈條打通。



          關(guān)鍵詞: 光刻膠

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