價格和需求同亮眼，HBM存儲及先進封裝將迎來擴產

市場對人工智能的熱情還在持續升溫，隨著芯片庫存調整卓有成效，以及市場需求回暖推動，全球存儲芯片價格正從去年的暴跌中逐步回升，內閃存產品價格均開始漲價。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應緊俏，除了CoWoS是供應瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產周期較DDR5更長，投片到產出與封裝完成需要兩個季度以上所致。

行業人士表示，在產能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達新款AI芯片的HBM存儲系統售價更高。在此帶動下，從今年一季度財報開始，三星、美光業績開始翻盤。并且，三星、美光、SK海力士三大存儲原廠在發布最新擴產動態或財報后，股價應聲大漲。據悉，包括三大原廠及晶圓代工大廠臺積電、英特爾在內的廠家均在加大晶圓投入，并針對HBM存儲芯片以及先進封裝進行一系列的產能擴產，市場逐步進入到新一輪上升周期中。

三星美國投資追加至440億美元？或新建一座晶圓廠和一個封裝廠

近日據外媒消息，三星計劃將在美國德克薩斯州的投資增加至約440億美元，大部分新支出將集中在泰勒市附近。目前三星正在當地建設一家芯片廠，現計劃再建一家芯片制造廠以及一個先進封裝廠。

消息人士稱，宣布三星擴大投資的活動預計將于4月15日在泰勒舉行。對此三星未予置評。此前2021年消息顯示，三星曾承諾向泰勒投資170億美元用于建設一家尖端芯片制造工廠，這次是在此基礎上追加的投資，金額翻倍。據了解，AI人工智能相關部件上如HBM，以及2.5D和3D封裝技術將是三星此次投資的重點。

寒冬尾聲，邁過2023年慘淡的業績后，三星再次迎來亮眼財報。近日其發布業績指引稱，三星第一季度營收同比增加11.4%，達到71萬億韓元（約合人民幣3805億元）。營利將同比增長約931%，從6400億韓元（約合人民幣34.30億元）至6.6萬億韓元（約合人民幣353億元）。不過，最終正式財報結果將在4月底公布。

此外，三星HBM芯片需求也在不斷上升。近日英偉達CEO黃仁勛在英偉達GTC 2024活動的媒體見面會上暗示，英偉達有意采購三星的HBM芯片。近期外媒消息顯示，英偉達最快將從9月開始大量購買三星電子的12層HBM3E。該消息還在進一步證實中。

SK海力士美國38.7億美元建HBM先進封裝廠

2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。

SK海力士表示，印第安納州工廠預計在2028年下半年開始量產新一代HBM等適于AI的存儲器產品。公司將以此領先激活全球AI半導體供應鏈?！?/p>

另外，SK海力士還將順利推進已計劃的韓國國內投資項目。公司將投資120萬億韓元建設的龍仁半導體集群目前正在進行用地在建工程。SK海力士計劃在明年3月開工建造第一座工廠，并于2027年初完工。而且還將建造“迷你工廠”以此加強材料、零部件、設備生態系統。據悉，迷你工廠是為了驗證半導體材料、零部件、設備等，具備300毫米晶圓工藝設備的研究設施。

據TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預估，截至2024年底，整體DRAM產業規劃生產HBM TSV的產能約為250K/m，占總DRAM產能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。此外，2023年HBM產值占比之于DRAM整體產業約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。

TrendForce集邦咨詢觀察，以HBM產能來看，三星、SK海力士（SK hynix）至今年底的HBM產能規劃最積極，三星HBM總產能至年底將達約130K（含TSV）；SK海力士約120K，但產能會依據驗證進度與客戶訂單持續而有變化。另以現階段主流產品HBM3產品市占率來看，目前SK海力士于HBM3市場比重逾9成，而三星將隨著后續數個季度AMD MI300逐季放量持續緊追。

美光Q2財報大漲，HBM3E貢獻巨大

近日，美光也公布了2024年第二季度最新財報。財報數據顯示美光營收58.2億美元，環比上漲了23%，同比大漲57.7%。美光在NON-GAAP準則下調整后的營業利潤同樣由虧轉盈，數據顯示美光Q2調整后營業利潤達到2.04億美元。相比之下上年同期虧損20.77億美元，第一財季虧損9.55億美元。

美光首席執行官Sanjay Mehrotra在與分析師的電話會議上表示：“美光已經恢復盈利，并比預期提前足足一個季度實現了正向的營業利潤率?！睒I績預期方面，美觀預計在HBM強勁需求驅動之下，第三財季營收區間將達到64億美元至68億美元，意味著同比激增70%到81%。

3月尾聲，美光宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已正式破土動工。此前，在2023年6月，美光宣布在西安追加投資43億元人民幣。該投資計劃包括加建上述的封裝和測試新廠房以及收購力成半導體（西安）有限公司（以下簡稱“力成西安”）的封裝設備。其中加建的新廠房將引入全新產線，制造更廣泛的產品解決方案，包括但不限于移動DRAM、NAND及SSD，從而拓展西安工廠現有的DRAM封裝和測試能力。據悉，該新廠房預計將于2025年下半年投產，并根據市場需求逐步增產。新廠房落成后，美光西安工廠的總面積將超過13.2萬平方米（140萬平方英尺）。

在擴產進度上，美光管理層表示，2024財年新工廠和設備的預算將維持在75億美元至80億美元，并且該公司將繼續在中國、日本和印度開展項目。

今年美光推出了HBM3E（第五代HBM）新品，該公司表示是市場針對AI應用的最高規格DRAM產品。目前美光已開始批量生產HBM3E，其24GB 8H HBM3E產品將供貨給英偉達，并將應用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU。

TrendForce集邦咨詢表示，從NVIDIA此前發布的AI產品規劃來看，B100系列的后繼產品為X100、GX200等產品，雖然信息尚未明朗。然而，根據其設計態勢與對主權AI（Sovereign AI）的推動，積極發展NVLink串連更多算力，以及大幅降低相對能耗預計為考量重點，而后者或將使其積極采用具備高效能特性的HBM。

美光新品有望從中受益更多，官方表示，公司有望在2024財年從HBM中獲得數億美元的收入，并預計從第三財季開始，HBM收入將增加我們的DRAM 和整體毛利率。我們的2024年HBM已售罄，并且2025年的絕大多數供應已分配完畢。

目前，據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年SK海力士占據了46％到49％的HBM市場份額，三星市場份額也差別不大，美光目前只占有4％到6％的市場份額。據行業人士觀點，在美光新品持續發力情況下，受到美國地緣優勢影響，美國本地科技巨頭或加大采購力度，助力其市場份額提升。

英特爾獲得美國芯片法案最大一筆補貼

近日，美國拜登總統在亞利桑那州宣布為英特爾提供85億美元的直接撥款和110億美元的貸款，以及未來5年25%的稅收減免。據悉，各項補貼總計接近200億美元，為《芯片法案》出臺之后最大的一筆補貼。

英特爾官方信息顯示，英特爾正計劃未來5年在亞利桑那州、俄亥俄州、新墨西哥州和俄勒岡州投資1000億美元，以擴大先進芯片制造能力，并在2030年重回晶圓代工第二寶座，此番補貼為其“五年大計”助力不少。

對于此次200億美元補貼，英特爾稱將在美國新建晶圓廠和先進封裝項目，預計25%至30%用在建造生產設施，其余約70%用于設備，具體包括：亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠，分別為Fab 52和Fab 62，打造下一代EUV生產線為Intel 18/20A工藝服務；俄亥俄州新奧爾巴尼園區的兩座新建晶圓廠；俄勒岡州希爾斯伯勒園區進行的擴建和改造，涉及D1X晶圓廠等設施，近期開始安裝ASML的High-NA EUV光刻機；新墨西哥州里奧蘭喬的Fab 9和Fab 11X，用于先進的半導體封裝技術。

其中作為英特爾代工計劃的重中之重，俄亥俄州哥倫布市附近的空地將從2027年起建設成為“全球最大的AI芯片制造基地”。

英特爾最新動態顯示，該公司晶圓代工架構再次調整，英特爾將其財務架構將拆分為英特爾代工和英特爾產品兩大板塊，屆時，英特爾代工業務將成為一個獨立的運營部門，擁有自己的損益表。

當前，晶圓代工廠商之間的競爭已升級到2nm制程。其中，intel 18A便是英特爾針對臺積電下一代2納米制程技術的競爭。據介紹，目前英特爾已經收到了5家客戶的訂單承諾，并為這項特定的制造技術測試了十幾顆芯片。得一提的是，英特爾近日亦首次單獨披露了芯片制造業務的收入總額，其代工業務在2023年營業虧損70億美元，銷售額為189億美元?；粮癖硎?，2024年將是該公司芯片制造業務運營虧損最嚴重的一年，預計到2027年左右才會實現運營盈虧平衡。

臺積電18日業績說明會，先進封裝布局和CoWoS產能成焦點

臺積電已經在先進封裝上多次擴產。3月18日，據中國臺灣經濟日報報道，臺積電將在中國臺灣地區嘉義科學園區先進封裝廠新廠加大投資，園區將撥出六座新廠用地給臺積電，比原本預期的四座多兩座，總投資額逾5000億新臺幣（約合人民幣1137億元），主要擴充晶圓基片芯片（CoWoS）先進封裝產能。另據其他媒體消息顯示，臺積電正考慮在日本建設先進的芯片封裝產能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術引入日本。

3月18日晚間，臺積電官方雖未證實六座新廠及日本擴建封裝廠的消息，但其表示，臺積電證實將在嘉義科學園區設2座CoWoS先進封裝廠，首座 CoWoS 廠預計5月動工，2028年量產。

據悉，從去年中至今年初，中國中國臺灣方面就積極協調臺積電先進封裝廠進駐位于太保的嘉科，相關環評、水電設施都已盤點、處理完成，預計4月就能動工，這間接證實相關傳聞。

目前，臺積電的CoWoS產能全部位于中國臺灣。據路透社最新報道，知情人士透露，臺積電正考慮在日本建設先進的芯片封裝產能，選擇之一是將其CoWoS封裝技術引入日本。審議工作還處于早期階段，尚未就潛在投資的規?；驎r間表做出決定。

根據官網，臺積電在中國臺灣共有5座先進封測廠，位于新竹、臺南、桃園龍潭、臺中，以及苗栗竹南。其中位于苗栗竹南的先進封測六廠，2023年6月上旬啟用，整合SoIC、InFO、CoWoS，以及先進測試等多種臺積電3D Fabric先進封裝與硅堆棧技術產能規劃。2023年7月下旬，臺積電在竹科銅鑼園區布局CoWoS晶圓新廠，預計2026年底完成建廠，規劃2027年第2季或第3季量產。

本月18日臺積電將舉行業績說明會，其先進封裝布局和CoWoS產能進展成為業界關注重點。法人評估到2025年上半年，臺積電CoWoS產能已被訂滿，今年臺積電供應的CoWoS產能中，超過50%比重將由NVIDIA和博通占據。