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          3D NAND,1000層競爭加速

          作者:時間:2024-04-09來源:全球半導體觀察收藏

          據國外媒體Xtech Nikkei報道,日本巨頭(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D 芯片。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/457302.htm

          眾所周知,在所有的電子產品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展,以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。

          自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯片層數上。隨著3D堆疊時代的到來,在三星、、SK海力士等存儲廠商的不斷推動下,閃存堆疊層數不斷被刷新。

          目前,各大廠商的NAND閃存堆疊層數均已突破200層,并持續向更高層數的邁進,其中三星和更是將目標瞄準1000層。根據此前的消息,三星計劃在2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層),2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層),2030年前實現1000層NAND Flash。

          NAND Flash價格回漲

          受消費電子市場需求不振、市場經濟逆風等因素影響,存儲器產業經過了較為漫長的低迷時期。其中NAND Flash產品合約價自2022年第三季開始連續四個季度下跌,直到2023年第三季開始起漲。隨后,自2023年第四季度開始,存儲器市場開始逐漸反彈,NAND Flash價格也開始回漲。

          市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示,除了鎧俠(Kioxia)和西部數據(WDC)自今年第一季起提升產能利用率外,其它供應商大致維持低投產策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑,但整體市場氛圍持續受供應商庫存降低,以及減產效應影響,預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。

          從各品類來看,集邦咨詢預估,2024年第二季度,Enterprise SSD合約價漲幅為全線產品最高,季增20~25%;eMMC、UFS、Client SSD合約價將分別季增10~15%,NAND Flash Wafer漲幅則較第一季大幅收斂,預估季增5~10%。




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