<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 國際視野 > 業(yè)界動態(tài) > 全球兩大存儲廠新消息!

          全球兩大存儲廠新消息!

          作者:Vinny 時間:2024-04-25 來源:集邦存儲市場 收藏

          近日,兩大廠公布新消息:量產第9代V-NAND、新一代UFS 4.0閃存芯片出樣。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202404/458066.htm

          開始量產第9代V-NAND

          4月23日,三星電子宣布,其1Tb TLC第9代V-NAND已開始量產,鞏固了其在NAND閃存市場的地位。

          據(jù)三星介紹,第9代V-NAND配備了下一代NAND閃存接口“Toggle 5.1”,支持將數(shù)據(jù)輸入/輸出速度提高33%,達到3.2Gbps。除了這個新接口外,三星還計劃通過擴大對PCIe 5.0的支持來鞏固其在高性能SSD市場的地位。

          憑借業(yè)界最小的單元尺寸和最薄的模組,三星將第9代V-NAND的位密度相比第8代V-NAND提高了約50%。功耗方面,與上一代相比,第9代V-NAND通過低功耗設計的進步,功耗也降低了10%。

          三星電子業(yè)務產品和技術主管SungHoi Hur表示,通過最新的V-NAND,三星將繼續(xù)引領高性能、高密度SSD市場趨勢,滿足下一代人工智能的需求。

          據(jù)悉,三星將于今年下半年量產四級單元 (QLC) 型號。

          新一代UFS 4.0閃存芯片出樣

          鎧俠宣布出樣最新一代UFS 4.0閃存芯片,新產品提供256GB、512GB和1TB容量規(guī)格。

          據(jù)介紹,新閃存芯片采用了鎧俠的BiCS Flash 3D閃存和主控芯片,集成了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0,支持每通道23.2 Gbps或者每個設備46.4 Gbps的理論接口速度,并向后兼容UFS 3.1。

          性能方面,與上一代UFS 4.0產品相比,新閃存芯片的順序寫入速度提升15%,隨機寫入速度提升了50%,隨機讀取速度提升30%,順序讀取速度不變,依舊維持在4640MB/s。

          新產品采用JEDEC標準的9mm x 13mm封裝,比上一代11mm x 13mm的封裝小18%,其中256GB和512GB的閃存封裝厚度為0.8mm,1TB的封裝厚度為0.9mm。

          據(jù)鎧俠表示,256GB和512GB容量的產品于本月開始出樣發(fā)貨,而1TB的產品則需要等到6月后才能發(fā)貨,樣品規(guī)格可能會與最終量產版本有不同。



          關鍵詞: 三星 鎧俠 存儲

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();