臺(tái)積電升級(jí) CoWoS 封裝技術(shù)，計(jì)劃 2027 推出 12 個(gè) HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片

4 月 28 日消息，臺(tái)積電近日在北美技術(shù)研討會(huì)上宣布，正在研發(fā) CoWoS 封裝技術(shù)的下個(gè)版本，可以讓系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）尺寸增大兩倍以上，實(shí)現(xiàn) 120x120mm 的超大封裝，功耗可以達(dá)到千瓦級(jí)別。

根據(jù)臺(tái)積電官方描述，CoWoS 封裝技術(shù)繼任者所創(chuàng)建的硅中介層，其尺寸是光掩模（Photomask，也稱 Reticle，大約為 858 平方毫米）是 3.3 倍。

CoWoS 封裝技術(shù)繼任者可以封裝邏輯電路、8 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到 2831 平方毫米，最大基板尺寸為 80×80 毫米。消息稱 AMD 的 Instinct MI300X 和 Nvidia 的 B200 都使用這種技術(shù)。IT之家附上截圖如下：

臺(tái)積電計(jì)劃 2026 年投產(chǎn)下一代 CoWoS_L，硅中介層尺寸可以達(dá)到光掩模的 5.5 倍，可以封裝邏輯電路、 12 個(gè) HBM3 / HBM3E 內(nèi)存堆棧、I / O 和其他芯粒（Chiplets），最高可以達(dá)到 4719 平方毫米。

臺(tái)積電還計(jì)劃在 2027 年繼續(xù)推進(jìn) CoWoS 封裝技術(shù)，讓硅中介層尺寸達(dá)到光掩模的 8 倍以上，提供 6864 平方毫米的空間，封裝 4 個(gè)堆疊式集成系統(tǒng)芯片 (SoIC)，與 12 個(gè) HBM4 內(nèi)存堆棧和額外的 I / O 芯片。