Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。

新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款新的器件與USB PD或可編程電源適配器控制器配對(duì)即可提供整體適配器解決方案。
值得注意的是，它們還可提供更多創(chuàng)新功能，包括UHV谷底跟蹤充電模式、自適應(yīng)OCP補(bǔ)償和自適應(yīng)綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡(jiǎn)的設(shè)計(jì)方案，更快地設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的電源產(chǎn)品。

偉詮電子市場(chǎng)推廣副總裁羅汶光表示：“基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)并采用整體封裝解決方案，可以為從30W低功率USB-C PD電源適配器到功率接近200W的充電器在內(nèi)的各種裝置提供更易設(shè)計(jì)的高性能電源?！?/p>

Transphorm全球銷售及FAE副總裁Tushar Dhayagude表示：“從適配器和充電器制造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項(xiàng)。不僅能滿足系統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時(shí)間內(nèi)可設(shè)計(jì)出產(chǎn)品?！?/p>

據(jù)了解，自2023年以來(lái)，偉詮電子和Transphom已經(jīng)聯(lián)合推出了三款GaN封裝器件。Transphorm為偉詮電子在GaN快充的長(zhǎng)期合作伙伴，雙方在GaN系統(tǒng)級(jí)封裝布局完整。

為布局電動(dòng)車、數(shù)據(jù)中心、AI及再生能源等成長(zhǎng)性市場(chǎng)，強(qiáng)化在GaN產(chǎn)品線的布局，日本IDM大廠瑞薩于今年1月宣布收購(gòu)Transphorm。據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，隨著Transphorm被瑞薩收購(gòu)，偉詮電子有望打入瑞薩供應(yīng)鏈。

報(bào)道指出，日本供應(yīng)鏈由于相對(duì)其他市場(chǎng)較難攻入，因此后續(xù)偉詮電子若能與瑞薩展開合作，將有助于偉詮電子拓展日本市場(chǎng)，甚至有機(jī)會(huì)展開車用、服務(wù)器及其他領(lǐng)域的新合作。

前不久，偉詮電子公布3月合并營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣2.30億元（折合人民幣約0.51億元）、同比增長(zhǎng)3.65％；第一季度累計(jì)營(yíng)收新臺(tái)幣6.65億元（折合人民幣約1.48億元），同比增長(zhǎng)18.56%。