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          誰是下一個(gè)晶圓代工“最強(qiáng)王者”?

          作者: 時(shí)間:2024-05-06 來源:科技新報(bào) 收藏

          近日,在年度技術(shù)論壇北美場發(fā)布埃米級先進(jìn)制程,2026年量產(chǎn),不僅較競爭對手英特爾Intel 14A,以及三星SF14都是2027年量產(chǎn)早,且強(qiáng)調(diào)還不需用到High-NA EUV,成本更具競爭力,市場樂觀看待進(jìn)入埃米時(shí)代第一戰(zhàn)有豐碩戰(zhàn)果。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/458334.htm

          臺積電量產(chǎn)時(shí)間與成本或?qū)㈩I(lǐng)先競爭對手

          根據(jù)臺積電表示,A16先進(jìn)制程將結(jié)合超級電軌(Super PowerRail)與納米片晶體管,2026年量產(chǎn)。超級電軌將供電網(wǎng)絡(luò)移到晶圓背面,晶圓正面釋出更多訊號網(wǎng)絡(luò)空間,提升邏輯密度和效能,適用復(fù)雜訊號布線及密集供電網(wǎng)絡(luò)的高效能運(yùn)算(HPC)產(chǎn)品。

          相較臺積電N2P制程,A16相同Vdd(工作電壓)下,速度增加8%~10%,相同速度功耗降低15%~20%,芯片密度提升高達(dá)1.1倍,支援?dāng)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

          另外,因?yàn)锳I芯片公司迫切希望最佳化設(shè)計(jì),以發(fā)揮臺積電制程全部性能,因此,臺積電也認(rèn)為不需用到阿斯麥(ASML)最新高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV來生產(chǎn)A16制程芯片。此外,臺積電還展示2026年啟用的超級電軌供電,從芯片背面供電,可以幫助AI芯片加速運(yùn)行。

          英特爾Intel 14A延續(xù)“四年五節(jié)點(diǎn)”布局

          今年2月,英特爾公布“四年五節(jié)點(diǎn)”后Intel 14A制程,導(dǎo)入High-NA EUV生產(chǎn)后,Intel 14A會比Intel 18A能耗效率提升15%,晶體管密度會提升20%。強(qiáng)化版Intel 14A-E也會在Intel 14A基礎(chǔ)上提升5%能耗。照計(jì)劃,Intel 14A最快2026年量產(chǎn),Intel 14A-E要到2027年。

          而近日,英特爾也宣布完成業(yè)界首臺商用高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)設(shè)備(High NA EUV)組裝。由光刻技術(shù)大廠阿斯麥TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV光刻設(shè)備,開始多項(xiàng)校準(zhǔn),2027年啟用、生產(chǎn)Intel 14A制程。英特爾強(qiáng)調(diào),當(dāng)High-NA EUV光刻設(shè)備與自家服務(wù)的其他領(lǐng)先制程技術(shù)相結(jié)合時(shí),打印尺寸比現(xiàn)有EUV機(jī)臺縮小1.7倍,因2D尺寸縮小,密度提高2.9倍,協(xié)助英特爾推展制程藍(lán)圖。

          三星SF1.4增加納米片,改善性能與功耗

          相對于臺積電與英特爾,媒體報(bào)導(dǎo),三星兩年前在Samsung Foundry Forum 2022就層公布先進(jìn)制程藍(lán)圖,埃米級SF1.4(1.4納米)2027年量產(chǎn)。三星高層透露,正在開發(fā)SF1.4納米片量從三個(gè)增至四個(gè),有望改善性能和功耗。

          三星2022年6月宣布量產(chǎn)SF3E(3納米GAA)后,導(dǎo)入全新GAA(Gate-All-Around)架構(gòu),今年公布SF3(3納米GAP)第二代3納米制程,使用第二代多橋通道場效應(yīng)晶體管(MBCFET),原有SF3E基礎(chǔ)上性能最佳化,還有性能增強(qiáng)型SF3P(3GAP+),適合制造高性能芯片。到2025年,三星會大規(guī)模量產(chǎn)SF2(2納米)制程,2027年量產(chǎn)SF1.4(1.4納米)制程。

          三星希望增加每個(gè)晶體管納米片數(shù)量,強(qiáng)化驅(qū)動電流、提高性能,更多納米片允許更高電流通過晶體管,增強(qiáng)開關(guān)能力和操作速度。更多納米片也更能控制電流,有助減少漏電,降低功耗。改善電流控制,代表晶體管產(chǎn)生更少熱量。




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