新思科技面向臺積公司先進工藝加速下一代芯片創(chuàng)新

摘要：

●   由Synopsys.ai? EDA套件賦能可投產(chǎn)的數(shù)字和模擬設計流程能夠針對臺積公司N3/N3P和N2工藝，助力實現(xiàn)芯片設計成功，并加速模擬設計遷移。

●   新思科技物理驗證解決方案已獲得臺積公司N3P和N2工藝技術認證，可加速全芯片物理簽核。

●   新思科技3DIC Compiler和光子集成電路（PIC）解決方案與臺積公司COUPE技術強強結(jié)合，在硅光子技術領域開展合作，能夠進一步提高人工智能（AI）和多裸晶（Multi-Die）設計的系統(tǒng)性能。

●   新思科技針對臺積公司N2/N2P工藝開發(fā)了廣泛的基礎和接口IP產(chǎn)品組合，以及針對臺積公司N3P工藝經(jīng)過硅驗證的IP，可縮短設計時間并降低集成風險。

新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，攜手臺積公司在先進工藝節(jié)點設計開展廣泛的EDA和IP合作，這些合作成果已應用于一系列人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和移動設計中。其中雙方的最新合作是共同優(yōu)化的光子集成電路（PIC）流程，使硅光子技術應用賦能更高功率、性能和晶體管密度的需求。值得一提的是，業(yè)界高度認可新思科技的數(shù)字和模擬設計流程，這些流程可用于臺積公司N3/N3P和N2工藝技術的 生產(chǎn)。目前，兩家公司正在共同開發(fā)包括新思科技DSO.ai?在內(nèi)的下一代AI驅(qū)動型芯片設計流程，以優(yōu)化設計并提高芯片設計生產(chǎn)力。新思科技還針對臺積公司N2/N2P工藝開發(fā)了廣泛的基礎和接口IP產(chǎn)品組合。此外，新思科技、是德科技（Keysight）與Ansys共同推出了全新的集成射頻（RF）設計遷移流程，以實現(xiàn)從臺積公司N16工藝節(jié)點至N6RF+工藝節(jié)點的遷移。

新思科技EDA事業(yè)部戰(zhàn)略與產(chǎn)品管理副總裁Sanjay Bali表示：“新思科技在可投產(chǎn)的EDA流程和支持3Dblox標準的3DIC Compiler光子集成方面取得的先進成果，結(jié)合我們廣泛的IP產(chǎn)品組合，讓我們與臺積公司能夠幫助開發(fā)者基于臺積公司先進工藝加速下一代芯片設計創(chuàng)新。我們與臺積公司數(shù)十年的緊密合作建立了深厚的信任，持續(xù)為業(yè)界提供了至關重要的EDA和IP解決方案，幫助合作伙伴實現(xiàn)跨工藝節(jié)點的快速設計遷移，從而大幅提高結(jié)果質(zhì)量和生產(chǎn)力?！?/p>

臺積公司設計基礎設施管理部負責人Dan Kochpatcharin表示：“我們與新思科技等開放創(chuàng)新平臺（OIP）生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作，賦能合作伙伴更好地應對從埃米級器件到復雜的多裸晶芯片系統(tǒng)等一系列高性能計算設計領域中極具挑戰(zhàn)的芯片設計需求，始終屹立于創(chuàng)新的最前沿。臺積公司與新思科技將繼續(xù)攜手助力開發(fā)者基于臺積公司的先進工藝節(jié)點實現(xiàn)下一代差異化設計，并加快成果轉(zhuǎn)化速度。”

針對先進工藝節(jié)點的經(jīng)認證數(shù)字和模擬設計流程

新思科技針對臺積公司N3P和N2工藝的可投產(chǎn)數(shù)字和模擬設計流程，已被應用于一系列AI、HPC和移動設計領域。該AI驅(qū)動的模擬設計遷移流程可實現(xiàn)工藝節(jié)點間的快速遷移，在新思科技已有的針對臺積公司N4P至N3E和N3E至N2工藝節(jié)點遷移的設計流程基礎上，新增了用于從臺積公司N5至N3E工藝節(jié)點的遷移流程。

此外，可互操作工藝設計套件（iPDK）和新思科技IC Validator?物理驗證運行集已可供開發(fā)者使用，幫助芯片開發(fā)團隊高效地將設計遷移至臺積公司的先進工藝技術。新思科技IC Validator支持全芯片物理簽核，以應對日益復雜的物理驗證規(guī)則。新思科技IC Validator現(xiàn)已通過臺積公司N2和N3P工藝技術認證。

借助光子集成電路加速多裸晶設計的數(shù)據(jù)傳輸

AI訓練所需的海量數(shù)據(jù)處理要求低時延、高能效和高帶寬的互連，這也推動了采用硅光子技術的光學收發(fā)器和近/共封裝光學器件的應用。新思科技和臺積公司正在面向臺積公司的緊湊型通用光子引擎（COUPE）技術開發(fā)端到端多裸晶電子和光子流程解決方案，以提升系統(tǒng)性能和功能。該流程包括利用新思科技OptoCompiler?進行光子集成電路設計，以及利用新思科技3DIC Compiler和Ansys多物理場分析技術進行電子集成電路（EIC）的集成。

利用針對N2和N2P工藝的廣泛IP組合加快產(chǎn)品上市速度

目前，新思科技正在針對臺積公司的N2和N2P工藝技術開發(fā)廣泛的基礎和接口IP組合，以助力復雜的AI、HPC和移動SoC應用加速實現(xiàn)流片成功?；贜2和N2P工藝節(jié)點的高質(zhì)量PHY IP，包括UCIe、HBM4/3e、3DIO、PCIe 7.x/6.x、MIPI C/D-PHY和M-PHY、USB、DDR5 MR-DIMM和LPDDR6/5x，開發(fā)者能夠受益于臺積公司先進工藝節(jié)點上的PPA改進。此外，新思科技還針對臺積公司N3P工藝技術提供經(jīng)過硅驗證的基礎和接口IP組合，包括224G以太網(wǎng)、UCIe、MIPI C/D-PHY和M-PHY、USB/DisplayPort和eUSB2、LPDDR5x、DDR5和PCIe 6.x，以及正在開發(fā)中的DDR5 MR-DIMM。新思科技針對臺積公司先進工藝節(jié)點的IP已被數(shù)十家業(yè)內(nèi)領先公司采用，以加快其開發(fā)進度。