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          Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

          作者: 時(shí)間:2024-05-11 來源:快科技 收藏

          這幾年,Intel以空前的力度推進(jìn)工藝,希望以最快的速度反超臺積電,重奪領(lǐng)先地位,現(xiàn)在又重申了這一路線,尤其是意欲通過未來的14A 級工藝,在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/458610.htm

          目前,Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo),Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

          其中,Intel 3作為升級版,應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids,將在今年陸續(xù)發(fā)布,其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì),最多288個(gè)。

          Intel 20A和Intel 18A兩個(gè)節(jié)點(diǎn)正在順利推進(jìn)中,分別相當(dāng)于2nm、1.8nm,將繼續(xù)采用EUV技術(shù),并應(yīng)用RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)。

          憑借它們兩個(gè),Intel希望能在2025年重奪制程領(lǐng)先性。

          之后,Intel將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù),推進(jìn)未來制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和制造,以鞏固領(lǐng)先性。

          其中一個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)就是High NA EUV技術(shù),而數(shù)值孔徑(NA)正是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。

          通過升級將掩膜上的電路圖形反射到硅上的光學(xué)系統(tǒng),High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

          作為Intel 18A之后的下一個(gè)節(jié)點(diǎn),Intel 14A 級就將采用High NA EUV光刻技術(shù)。

          為了制造出特征尺寸更小的晶體管,在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí),Intel也在同步開發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu),并改進(jìn)工藝步驟,如通過PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡化流程。

          此外,Intel還公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的數(shù)個(gè)演化版本,以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。

          Intel 14A工藝至關(guān)重要!2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先



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