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          臺積電開發(fā)N4e制程滿足物聯(lián)網(wǎng)需求,另提升特殊制程產(chǎn)能50%

          作者: 時間:2024-05-21 來源:全球半導(dǎo)體觀察 收藏

          年度技術(shù)論壇的歐洲場,向客戶展示N4e新型低功耗節(jié)點,并未出現(xiàn)過藍圖。 表示,幾年內(nèi)將把特殊制程晶圓廠產(chǎn)能提高50%。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/458994.htm

          Anandtech報道,計劃「四至五年」內(nèi),將特殊制程晶圓廠產(chǎn)能大幅提高50%,修改晶圓廠空間,建造Greenfield新晶圓廠。 臺積電將興建低功耗4納米節(jié)點,稱為N4e,臺積電官方藍圖將N4e加入N4P和N4X行列。

          尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應(yīng)用使用,但可能專門給物聯(lián)網(wǎng)和其他需要消耗電力的設(shè)備。 通常應(yīng)用都采成熟制程,因相對廉價設(shè)備用成本太高。 臺積電為需求做好規(guī)劃,因計劃要到2029年左右才能落實。

          臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外營運副總經(jīng)理張曉強強調(diào),已開始建造N4e節(jié)能制程產(chǎn)線。 張曉強未透露產(chǎn)線位置,產(chǎn)線快速部署是臺積電第一次基本上跳過漫長審查過程,并開始進行。

          張曉強強調(diào),臺積電強化全球供應(yīng)鏈彈性,這種彈性透過臺灣以外建造晶圓廠,以及增加未來需要節(jié)點產(chǎn)能。 現(xiàn)在臺積電最先進低功耗制程是N6e,是使用0.4V~0.9V電壓的6/7納米制程。 消息指臺積電希望將N4e電壓一路降至0.4V,但研討會并未提到性能或?qū)傩栽敿毿畔ⅰ?/p>



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