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          三星否認自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達測試

          作者: 時間:2024-05-27 來源:IT之家 收藏

           5 月 27 日消息,此前有消息稱電子最新的高帶寬內(nèi)存()芯片尚未通過測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202405/459190.htm

          不過據(jù)韓媒Business Korea 報道,電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 芯片測試過程”,同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。

          最近開始批量生產(chǎn)其第五代 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 HBM3E上,三星并未像競爭對手SK海力士、美光那樣采用1b nm制程DRAM裸片,而是仍使用1a nm顆粒,在能耗方面處于劣勢。加上本次出現(xiàn)的相關(guān)負面輿論,這導致一些分析師懷疑三星“是否有能力從 SK海力士處迅速奪回市場份額”。



          關(guān)鍵詞: 三星 存儲 HBM 英偉達

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