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          三星計劃到2030年推出1000層3D NAND新材料
          
						
          
				作者：
				時間：2024-05-29
				來源：SEMI
				
				
				
				
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          據(jù)外媒報道，三星電子正在積極探索“鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）”作為下一代NAND閃存材料，希望這種新材料可以堆疊1000層以上的3D NAND，并實現(xiàn)pb級ssd。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202405/459321.htm
          如果上述材料研發(fā)順利，將能夠在特定條件下表現(xiàn)出鐵電性，有望取代目前在3D NAND堆疊技術(shù)中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用與穩(wěn)定度。據(jù)三星電子高管預(yù)測，到2030年左右，其3D NAND的堆疊層數(shù)將超過1000層。
          三星高管Giwook Kim將于今年6月發(fā)表技術(shù)演講，分析鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）在1000層以上V-NAND技術(shù)發(fā)展中的關(guān)鍵作用。這項成就被認(rèn)為將推動低電壓和QLC 3D VNAND技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。
          此前有消息稱，三星計劃明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，達(dá)到430層，進(jìn)一步提高NAND的密度，并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            三星
                        NAND
                        存儲
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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