新型存儲技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時寫入速度是NAND的1000倍數(shù)。

基于上述特性，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。

三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三星于2019年開發(fā)并量產(chǎn)業(yè)界首款基于28nm FD-SOI的eMRAM，具備28nm eMRAM生產(chǎn)能力之后，另據(jù)媒體報道，三星還計劃2024年量產(chǎn)14nm eMRAM，2026年量產(chǎn)8nm eMRAM，2027年量產(chǎn)5nm eMRAM。

三星對eMRAM在未來車用領(lǐng)域的應(yīng)用充滿信心，并表示其產(chǎn)品耐溫能力已達(dá)到150~160℃，完全能夠滿足汽車行業(yè)對半導(dǎo)體的嚴(yán)苛要求。

近年，大數(shù)據(jù)、人工智能等應(yīng)用不斷普及，帶來了海量存儲需求，同時也對存儲技術(shù)提出了更高要求，于是新型存儲技術(shù)不斷涌現(xiàn)，其中SCM（Storage Class Memory）是具有代表性的技術(shù)，它結(jié)合了DRAM和閃存的特點，具有DRAM的高速讀寫性能，又擁有NAND閃存的持久存儲能力，有望解決DRAM存儲器容量小、易失性和高成本等問題，產(chǎn)品主要包含相變存儲器（PCM）、阻變存儲器（ReRAM）、磁阻存儲器（MRAM）和納米管RAM（NRAM）等。

除了三星之外，今年以來鎧俠、字節(jié)跳動等公司也在新型存儲領(lǐng)域有所動作。4月，鎧俠CTO宮島英史對外表示，與同時運營NAND和DRAM的競爭對手相比，鎧俠在業(yè)務(wù)豐富程度上面處于競爭劣勢，有必要培育SCM（Storage Class Memory）等新型存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)。為發(fā)力先進(jìn)存儲技術(shù)，鎧俠還將“存儲器技術(shù)研究實驗室”重組為“先進(jìn)技術(shù)研究實驗室”。

3月媒體報道，字節(jié)跳動投資國內(nèi)存儲芯片公司昕原半導(dǎo)體，成為該公司的第三大股東。資料顯示，昕原半導(dǎo)體專注于ReRAM新型存儲技術(shù)及相關(guān)芯片產(chǎn)品的研發(fā)，產(chǎn)品涵蓋高性能工控/車規(guī)SoC/ASIC芯片、存算一體（Computing in Memory, CIM）IP及芯片、系統(tǒng)級存儲（System-on-Memory, SoM）芯片三大應(yīng)用領(lǐng)域。

AI浪潮之下，高容量、高性能存儲產(chǎn)品重要性不斷凸顯，HBM無疑是當(dāng)前最受關(guān)注的產(chǎn)品，市況供不應(yīng)求，產(chǎn)值持續(xù)攀升。

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前預(yù)計，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。同時，新型存儲技術(shù)也不斷涌現(xiàn)，3D DRAM時代即將開啟；SCM潛力即將釋放，PCIe 6.0/7.0蓄勢待發(fā)…