產(chǎn)能供不應(yīng)求，英偉達(dá)選擇讓利：消息稱臺(tái)積電將針對(duì)先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝漲價(jià)

IT之家 6 月 17 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》報(bào)道指，在產(chǎn)能供不應(yīng)求的情況下，臺(tái)積電將針對(duì) 3/5nm 先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝執(zhí)行價(jià)格調(diào)漲。

其中 3nm 代工部分將漲價(jià) 5% 以上，而 2025 年度先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)也將上漲 10~20%。

在 3nm 制程上，幾乎全部先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)均有在臺(tái)積電下單。臺(tái)積電 3nm 整體產(chǎn)能利用率長(zhǎng)期接近滿載，這一趨勢(shì)將延續(xù)到 2025 乃至 2026 年。

臺(tái)積電 5nm 系節(jié)點(diǎn)也持續(xù)接獲 AI 半導(dǎo)體訂單，產(chǎn)能利用率同樣較高。

而在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，產(chǎn)能缺口集中在實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存同 AI 加速器整合的 CoWoS 工藝上。

臺(tái)積電 2025 年 CoWoS 產(chǎn)能達(dá) 53 萬(wàn)片，約合月均 4.2 萬(wàn)片，較目前的 3.3 萬(wàn)片進(jìn)一步提升，仍不及全年 60 萬(wàn)片的市場(chǎng)需求。

IT之家注意到，不同于移動(dòng)端芯片，AI 加速器主要集中在次先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，如英偉達(dá) Blackwell GPU 仍使用基于臺(tái)積電 5nm 系的 4NP 工藝。

然而，對(duì) AI 加速器而言，CoWoS 及其類似先進(jìn)封裝工藝卻是剛需。誰(shuí)能從臺(tái)積電拿下更多的先進(jìn)封裝產(chǎn)能，誰(shuí)就能在 AI 加速器市場(chǎng)獲得更大的掌握度和話語(yǔ)權(quán)。

在這一情形下，臺(tái)積電該領(lǐng)域最大客戶、目前占有約半數(shù)產(chǎn)能的英偉達(dá)同意將部分利潤(rùn)空間讓與臺(tái)積電，以掌握更多的先進(jìn)封裝產(chǎn)能，拉開(kāi)同競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)量差距。