imec首次展示CFET晶體管，將在0.7nm A7節(jié)點(diǎn)引入

自比利時(shí)微電子研究中心（imec）官網(wǎng)獲悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技術(shù)與電路研討會（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆疊底部和頂部源極/漏極觸點(diǎn)的CMOS CFET器件。雖然這一成果的兩個(gè)觸點(diǎn)都是利用正面光刻技術(shù)獲得，但imec也展示了將底部觸點(diǎn)轉(zhuǎn)移至晶圓背面的可能性——這樣可將頂部元件的覆蓋率從11%提升至79%。

從imec的邏輯技術(shù)路線圖看，其設(shè)想在A7節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)中引入CFET技術(shù)。若與先進(jìn)的布線技術(shù)相輔相成，CFET有望將標(biāo)準(zhǔn)單元高度從5T降低到4T甚至更低，而不會降低性能。在集成nMOS和pMOS垂直堆疊結(jié)構(gòu)的不同方法中，與現(xiàn)有的納米片工藝流程相比，單片集成被認(rèn)為是破壞性最小的。

imec在研討會上首次展示的具有頂部和底部觸點(diǎn)的功能單片CMOS CFET器件，柵極長度為18nm，柵極間距為60nm，n型和p型之間的垂直間距為50nm。

imec負(fù)責(zé)人表示，在從正面開發(fā)底部觸點(diǎn)時(shí)，遇到了很多挑戰(zhàn)，可能影響底部觸點(diǎn)電阻，并限制頂部器件工藝窗口。在2024 VLSI上，imec表明，盡管仍使用晶圓鍵合和減薄等額外工藝，這一設(shè)計(jì)是可行的，這使得晶圓背面底部接觸結(jié)構(gòu)成為對業(yè)界來說具有強(qiáng)大吸引力的選擇。目前，該機(jī)構(gòu)正在持續(xù)進(jìn)行研究，以確定最佳的觸點(diǎn)布線方法。