HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202406/460292.htm市場分析師預(yù)期,美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚,以及他們供應(yīng)給輝達和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對后市正向的看法。
由于AI應(yīng)用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯失機會」,在美光等大廠持續(xù)鼓吹下,追漲的可能性上升。
市場分析師預(yù)估,2025年和2026年美光每股稅后純益(EPS),有可能達到20美元,其中,HBM將帶來3美元的直接影響。另外,HBM的供應(yīng)吃緊情況,可驅(qū)動DRAM的價格上漲,進一步推升美光營收。
美光因HBM受到市場矚目,但根據(jù)法人調(diào)查,硅穿孔(TSV)為現(xiàn)有HBM3E供貨商的主要瓶頸,市場領(lǐng)導(dǎo)廠商海力士(SK Hynix)的TSV良率約為60%,HBM3E生產(chǎn)的總良率約為50%,對應(yīng)前一代HBM3時,SK Hynix的總良率超過70%。
美光良率相對落后,可能在40%左右,三星TSV良率則較佳,約在60%左右,但三星關(guān)鍵問題是散熱,導(dǎo)致認證周期較長。
三星已獲得輝達有條件的小批量出貨批準,但散熱問題仍在,市場普遍認為,三星獲得輝達認證過關(guān)只是時間問題,但進展似乎比預(yù)期要略晚一些。
根據(jù)研調(diào)機構(gòu)調(diào)查,由于目前8hi HBM3E的良率較低,且2025年將提升至12hi,預(yù)計HBM3E供應(yīng)將保持緊張,即使三星進入該市場,但價格仍呈上漲趨勢(預(yù)估2025年上漲5%~10%)。長期而言,預(yù)計HBM市場規(guī)模在2024年至2026年期間的復(fù)合年增長率將達到95%。
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