HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價(jià) 美光股價(jià)飆漲

內(nèi)存大廠美光預(yù)計(jì)6月26日公布季報(bào)，自美光的高帶寬內(nèi)存（HBM）開始供貨給輝達(dá)后，已化身為AI明星股，年初至今，美光股價(jià)大漲近七成，市值大增636.26億美元，至1,545.22億美元。

市場(chǎng)分析師預(yù)期，美光經(jīng)營(yíng)層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價(jià)格進(jìn)一步上揚(yáng)，以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM，下一世代的發(fā)展，提出對(duì)后市正向的看法。

由于AI應(yīng)用的需求，人們對(duì)DRAM、HBM的興趣與日俱增，且內(nèi)存市場(chǎng)通常存在「FOMO」（Fear of missing out）現(xiàn)象，意思是「害怕錯(cuò)失機(jī)會(huì)」，在美光等大廠持續(xù)鼓吹下，追漲的可能性上升。

市場(chǎng)分析師預(yù)估，2025年和2026年美光每股稅后純益（EPS），有可能達(dá)到20美元，其中，HBM將帶來3美元的直接影響。另外，HBM的供應(yīng)吃緊情況，可驅(qū)動(dòng)DRAM的價(jià)格上漲，進(jìn)一步推升美光營(yíng)收。

美光因HBM受到市場(chǎng)矚目，但根據(jù)法人調(diào)查，硅穿孔（TSV）為現(xiàn)有HBM3E供貨商的主要瓶頸，市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)廠商海力士（SK Hynix）的TSV良率約為60％，HBM3E生產(chǎn)的總良率約為50％，對(duì)應(yīng)前一代HBM3時(shí)，SK Hynix的總良率超過70％。

美光良率相對(duì)落后，可能在40％左右，三星TSV良率則較佳，約在60％左右，但三星關(guān)鍵問題是散熱，導(dǎo)致認(rèn)證周期較長(zhǎng)。

三星已獲得輝達(dá)有條件的小批量出貨批準(zhǔn)，但散熱問題仍在，市場(chǎng)普遍認(rèn)為，三星獲得輝達(dá)認(rèn)證過關(guān)只是時(shí)間問題，但進(jìn)展似乎比預(yù)期要略晚一些。

根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查，由于目前8hi HBM3E的良率較低，且2025年將提升至12hi，預(yù)計(jì)HBM3E供應(yīng)將保持緊張，即使三星進(jìn)入該市場(chǎng)，但價(jià)格仍呈上漲趨勢(shì)（預(yù)估2025年上漲5％～10％）。長(zhǎng)期而言，預(yù)計(jì)HBM市場(chǎng)規(guī)模在2024年至2026年期間的復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到95％。