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          傳ASMPT與美光聯(lián)合開發(fā)下一代HBM4鍵合設(shè)備
          
						
          
				作者：
				時間：2024-07-01
				來源：全球半導(dǎo)體觀察
				
				
				
				
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          據(jù)韓媒報道，韓國后端設(shè)備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內(nèi)存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開始聯(lián)合開發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202407/460500.htm
          根據(jù)報道，美光還從日本新川半導(dǎo)體和韓美半導(dǎo)體采購TC鍵合機，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導(dǎo)體提供了價值226億韓元的TC Bonder采購訂單。
          據(jù)透露，美光正在使用熱壓非導(dǎo)電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。
          此外，目前美光最大的HBM生產(chǎn)基地在臺灣地區(qū)，另據(jù)日經(jīng)亞洲引述知情人士透露，美光科技正在美國建設(shè)先進高帶寬存儲（HBM）芯片的測試生產(chǎn)線，并首次考慮在馬來西亞生產(chǎn)HBM，滿足AI熱潮帶來的更多需求。
          美光曾表示，公司目前正積極強化HBM技術(shù)并同步擴充產(chǎn)能，公司目標(biāo)是到2025年將HBM（AI芯片的關(guān)鍵組件）的市場份額提高三倍以上，達(dá)到20%左右。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            ASMPT
                        美光
                        HBM4
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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