成本可降低10%，日本推碳化硅襯底新技術(shù)

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導(dǎo)體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術(shù)。

據(jù)介紹，中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術(shù)。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統(tǒng)技術(shù)相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質(zhì)方面更具優(yōu)勢。該技術(shù)可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會(huì)大幅度提升。

由于利用液相法制備SiC襯底較為復(fù)雜，此前該技術(shù)一直未應(yīng)用在實(shí)際生產(chǎn)中。中央硝子運(yùn)用基于計(jì)算機(jī)的計(jì)算化學(xué)，通過推算溶液的動(dòng)態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6英寸SiC襯底。在此基礎(chǔ)上，公司打算最早于2030年把尺寸擴(kuò)大到8英寸。

據(jù)了解，自2022年4月起，中央硝子就已經(jīng)開始使用液相法研究和開發(fā)SiC晶圓。

今年4月，中央硝子宣布其“高質(zhì)量8英寸SiC單晶/晶片制造技術(shù)開發(fā)”項(xiàng)目通過審查，被日本新能源和工業(yè)技術(shù)開發(fā)組織（NEDO）的視為綠色創(chuàng)新基金項(xiàng)目（項(xiàng)目期限為2022財(cái)年至2029財(cái)年）。該項(xiàng)目后續(xù)將獲得來自NEDO的資助，這一進(jìn)展將有助于中央硝子加速8英寸SiC襯底的開發(fā)。

報(bào)道指出，為了讓客戶采用以新技術(shù)制作的SiC襯底，中央硝子已開始與歐美的大型半導(dǎo)體企業(yè)等展開商討。中央硝子最早將于2024年夏天開始向客戶提供樣品，2027～2028年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。該公司將在日本國內(nèi)的工廠實(shí)施數(shù)十億日元規(guī)模的投資，爭取將市場份額超過10％。