HBM排擠效應(yīng) DRAM漲勢可期

近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢。

業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季來臨，可帶動(dòng)DRAM重啟漲勢。

據(jù)了解，6月指針性產(chǎn)品DDR4 8GB合約價(jià)約2.10美元、容量較小的4GB合約價(jià)1.62美元左右，表現(xiàn)持平，主要是供需雙方對(duì)價(jià)格談判，呈現(xiàn)拉鋸狀況。

而另一方面，三星新一代HBM3E，據(jù)傳有望通過輝達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證，輝達(dá)GB200將于2025年放量，其規(guī)格為HBM3E 192／384GB，在AI服務(wù)器需求帶動(dòng)下，預(yù)期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，2025年HBM于全球DRAM產(chǎn)能占比將超過10％。

由于三星為DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭，市占率高達(dá)42％，若其HBM3E通過輝達(dá)認(rèn)證，產(chǎn)能大幅轉(zhuǎn)作HBM3E下，恐將使DDR4產(chǎn)能供給大幅減少，三星DDR3亦將于2024年底停產(chǎn)。

法人分析，三星主要以1a nm制程生產(chǎn)HBM3E、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR5，并以1z nm生產(chǎn)HBM3、GDDR6、LPDDR5／5X、DDR4／5，后續(xù)放量時(shí)，1a nm制程生產(chǎn)的產(chǎn)品，將遭受產(chǎn)能排擠，隱含DDR5／LPDDR5系列產(chǎn)品為主要的受惠者。

法人認(rèn)為，2024年以來，DRAM市場需求和產(chǎn)品漲幅順序，先后排序?yàn)?/span>HBM、DDR5、DDR4和DDR3。臺(tái)廠南亞科、華邦電因主要生產(chǎn)DDR3和DDR4，故DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為漲價(jià)循環(huán)后，獲利改善幅度不如前三大廠。

但隨HBM排擠效益擴(kuò)大，以及一般型應(yīng)用需求回溫，DDR4和DDR3漲價(jià)循環(huán)可望延續(xù)，并致使兩廠2025年獲利有望大幅改善。