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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

          基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2024-07-18 來(lái)源: 收藏

          引言:

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461128.htm

          隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載封裝技術(shù)帶來(lái)了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時(shí),高溫、高壓、高頻、大電流的工作環(huán)境對(duì)模塊內(nèi)部封裝材料的互連可靠性提出了更高要求,開發(fā)與功率芯片匹配的新型互連材料和工藝亟需同步推進(jìn)。

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          傳統(tǒng)互連材料的局限

          傳統(tǒng)的高溫錫基焊料和銀燒結(jié)技術(shù)已在行業(yè)中活躍多年,但它們各自存在一定短板。例如,錫基焊料耐高溫性能不足,熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率偏低,在高溫下存在蠕變失效的風(fēng)險(xiǎn),在車用碳化硅模塊中的存在感日漸式微。

          另一方面,作為當(dāng)下碳化硅模塊的主力封裝材料,銀燒結(jié)工藝日趨成熟。燒結(jié)銀焊點(diǎn)耐高溫、熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率突出,有著優(yōu)異的綜合力學(xué)性能,但其成本較高且存在潛在的電遷移問題。此外,燒結(jié)銀能夠適配的界面結(jié)構(gòu)種類有限,往往要求在基板表面預(yù)置銀、金等金屬化層,若不預(yù)置金屬化層則可靠性稍受影響。過度復(fù)雜的界面連接結(jié)構(gòu)和表面處理工藝不光會(huì)造成成本的上漲,更會(huì)帶來(lái)潛在的界面破壞風(fēng)險(xiǎn),從而對(duì)器件的長(zhǎng)期可靠性形成威脅。上述局限性驅(qū)動(dòng)著業(yè)界探索新的互連材料和技術(shù),與燒結(jié)銀幾乎同時(shí)發(fā)展的燒結(jié)銅技術(shù),在近年來(lái)收獲了日益增加的關(guān)注度。

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          技術(shù)的優(yōu)勢(shì)

          銅材料具有匹敵銀的優(yōu)異導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能,且比之銀而言,銅材料與碳化硅芯片、陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)更為相近,有望緩解熱循環(huán)和功率循環(huán)狀態(tài)下的熱失配問題。此外,工藝對(duì)基板表面的金屬化層不敏感,有望極大地簡(jiǎn)化連接界面結(jié)構(gòu),從而獲得更高的界面穩(wěn)定性和產(chǎn)品可靠性。同時(shí),單純的界面組成也能夠最大限度地抑制原子擴(kuò)散、金屬間化合物生成等互連退化現(xiàn)象,降低界面處的接觸電阻、熱阻,并優(yōu)化電流分布。更重要的是,從原材料價(jià)值角度而言,銅的價(jià)格僅有銀的幾十分之一,理論上具備較低成本。

          在過去的十年間,材料雖然與銀燒結(jié)材料平行發(fā)展,但其固有的易氧化特性對(duì)燒結(jié)氣氛和燒結(jié)條件要求較高,極大地限制了銅燒結(jié)材料的廣泛應(yīng)用。近年來(lái),各大材料廠商普遍在銅燒結(jié)漿料的制備上取得突破,工藝條件極大緩和,不少商用案例開始涌現(xiàn)。同時(shí),適用于銀燒結(jié)工藝的設(shè)備也可以很好地兼容高性能銅漿料。此類設(shè)備隨著銀燒結(jié)工藝的成熟開始成為各大模塊廠商的產(chǎn)線“標(biāo)配”,又“無(wú)意中”為銅燒結(jié)的普及創(chuàng)造了條件。

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          的先行者姿態(tài)

          據(jù)此,認(rèn)為,銅燒結(jié)有望成為碳化硅車載封裝的理想互連方案。作為國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新企業(yè),意識(shí)到銅燒結(jié)技術(shù)的潛力,積極與材料供應(yīng)商展開合作,力求將這一前沿技術(shù)率先應(yīng)用于自身產(chǎn)品中。通過與材料業(yè)界的合作伙伴通力協(xié)作,基本半導(dǎo)體在銅燒結(jié)漿料的選型、互連工藝優(yōu)化等方面取得了一系列進(jìn)展,為銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅車載功率模塊中的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

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          基本半導(dǎo)體Pcore?6 -汽車級(jí)HPD碳化硅MOSFET模塊

          截至目前,基本半導(dǎo)體模塊研發(fā)團(tuán)隊(duì)已對(duì)多款銅燒結(jié)漿料進(jìn)行了選型評(píng)估,印刷、烘烤、貼片、燒結(jié)等工藝環(huán)節(jié)已趨于穩(wěn)定。燒結(jié)后的連接強(qiáng)度達(dá)到80MPa以上,接近銀燒結(jié)漿料的最優(yōu)水平。得益于20MPa以上的超高壓燒結(jié)工藝,孔隙率低至15%以下,多孔狀銅燒結(jié)體性質(zhì)均一,難以觀察到氣孔等缺陷。

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          (左)三種Cu漿料剪切強(qiáng)度測(cè)試結(jié)果(現(xiàn)行Ag漿料作為對(duì)比)(右)加壓燒結(jié)銅截面形貌

          熱沖擊測(cè)試中,銅燒結(jié)模塊展現(xiàn)了預(yù)期的高可靠性,不僅壽命超過銀燒結(jié)模塊30%,且未觀察到明顯的界面破壞。在功率循環(huán)可靠性測(cè)試中,采用銅漿料的模塊樣品壽命遠(yuǎn)高于銀漿料的模塊。綜合而言,銅燒結(jié)模塊的壽命提升顯著,可靠性指標(biāo)完全能夠滿足車規(guī)級(jí)的嚴(yán)苛要求。

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          基本半導(dǎo)體采用銅燒結(jié)技術(shù)的預(yù)研產(chǎn)品展現(xiàn)出了優(yōu)異的性能和可靠性,不僅證明了銅燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用價(jià)值,也彰顯了基本半導(dǎo)體作為行業(yè)先驅(qū)者的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神。

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          結(jié)語(yǔ)

          銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅車載功率模塊封裝領(lǐng)域大有可為,基本半導(dǎo)體將積極推動(dòng)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,充分發(fā)揮行業(yè)引領(lǐng)作用。未來(lái),基本半導(dǎo)體將繼續(xù)深化產(chǎn)學(xué)研合作,加速推進(jìn)銅燒結(jié)技術(shù)的成熟和應(yīng)用,為碳化硅車載功率模塊的發(fā)展注入新的動(dòng)力,助力新能源汽車產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更優(yōu)性能、更高可靠、更低成本,推動(dòng)行業(yè)生態(tài)良性發(fā)展。



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