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          英飛凌加速氮化鎵布局,引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

          作者: 時間:2024-07-19 來源:EEPW 收藏

          近年來,隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長,半導(dǎo)體行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。GaN)作為一種新型半導(dǎo)體材料,以其高功率、高效率、耐高溫等特性,在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者,領(lǐng)域持續(xù)深耕,通過戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場地位。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461188.htm

          近日,在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的新品媒體溝通會,會上科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)市場總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技大中華區(qū)消費、計算與通訊業(yè)務(wù)高級首席工程師宋清亮先生,向EEPW介紹了英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的最新技術(shù)成果與新品,并分享其收購公司后帶來的積極作用。

          CoolGaN?技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用

          氮化鎵材料以其卓越的開關(guān)速度、超低導(dǎo)通阻抗以及高度集成設(shè)計,正引領(lǐng)著電子技術(shù)的革新。氮化鎵器件能夠輕松應(yīng)對高頻工作環(huán)境,顯著減小了被動元器件和散熱器的尺寸,從而降低了系統(tǒng)成本。同時,其單位面積導(dǎo)通阻抗遠(yuǎn)低于硅器件,在相同功率下減少了熱量產(chǎn)生,提高了系統(tǒng)的能效比。

          202310月成功收購以來,英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品線得到了顯著擴(kuò)展。從原來的兩種產(chǎn)品——分立式功率器件(Discrete Power)和集成式功率器件(Integrated Power),擴(kuò)展至五種創(chuàng)新產(chǎn)品,以滿足不同應(yīng)用場景的需求。新一代CoolGaN?半導(dǎo)體器件系列,專為高壓(HV)與中壓(MV)應(yīng)用精心打造,極大地拓寬了氮化鎵(GaN)技術(shù)的應(yīng)用邊界,覆蓋40V700V的廣泛電壓范圍,加速推動了行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型與低碳環(huán)保進(jìn)程。

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          CoolGaN? Transistor系列涵蓋高壓與中壓多樣產(chǎn)品,專注增強(qiáng)型器件,融合電壓與電流型驅(qū)動技術(shù),得益于收購,實現(xiàn)技術(shù)全面整合。所有氮化鎵器件均為貼片封裝,確保最小封裝集成參數(shù),展現(xiàn)高速特性優(yōu)勢。

          CoolGaN? BDS作為創(chuàng)新亮點,提供理想雙向開關(guān)解決方案,解決傳統(tǒng)MOS管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)限制,實現(xiàn)單顆器件雙邊可控,開關(guān)迅速,引領(lǐng)技術(shù)變革。該產(chǎn)品雖未上市,但預(yù)期將受市場熱烈反響,適用于電池保護(hù)、大功率電池管理、電動工具及儲能光伏等高壓雙向開關(guān)需求場景。

          CoolGaN? Smart Sense引入溝槽電流檢測技術(shù),通過內(nèi)部溝槽采樣電流,實現(xiàn)高精度電流監(jiān)控,避免外部電阻損耗及高速開關(guān)下的雜訊問題,提升系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。

          針對市場長期存在的門極驅(qū)動難題,CoolGaN? Drive提供集成化解決方案,簡化設(shè)計,確保高效穩(wěn)定驅(qū)動。該方案兼容原有硅器件驅(qū)動電壓,無需調(diào)整偏置電壓,實現(xiàn)無縫替換與升級,提升用戶體驗。

          收購GaN Systems讓英飛凌更飽滿

          通過此次產(chǎn)品系列的推出,英飛凌旨在進(jìn)一步強(qiáng)化CoolGaN?的品牌優(yōu)勢,并顯著提升其在全球GaN器件市場供應(yīng)鏈中的穩(wěn)定供應(yīng)能力。依托英飛凌自主研發(fā)的8英寸晶圓工藝精心制造,彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能提升上的堅定承諾。根據(jù)Yole Group的權(quán)威預(yù)測,GaN器件市場將迎來前所未有的增長機(jī)遇,預(yù)計未來五年將以驚人的46%年復(fù)合增長率持續(xù)擴(kuò)張,而英飛凌正站在這一行業(yè)變革的前沿,引領(lǐng)未來。

          通過收購GaN Systems,英飛凌不僅獲得了GaN Systems豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)專利,還極大地豐富了自身的物料品類。這使得英飛凌能夠為客戶提供更加全面、多樣的氮化鎵解決方案,滿足不同行業(yè)、不同應(yīng)用場景的需求。同時,英飛凌的IP儲量也因此得到了顯著提升,為其在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新提供了堅實的基礎(chǔ)。

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          程文濤表示,GaN Systems在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累為英飛凌打開了新的技術(shù)研發(fā)思路。雙方研發(fā)資源的整合和應(yīng)用人員的協(xié)作,產(chǎn)生了許多思想上的碰撞和靈感火花。雙方的技術(shù)交流與合作,促進(jìn)了英飛凌在氮化鎵技術(shù)上的不斷突破和創(chuàng)新。例如,英飛凌在收購后推出的CoolGaN系列新產(chǎn)品,就是雙方技術(shù)融合與創(chuàng)新的成果體現(xiàn)。一方面,雙方研發(fā)團(tuán)隊的合并使得英飛凌在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)力量得到了加強(qiáng);另一方面,GaN Systems在市場推廣方面的經(jīng)驗和資源也為英飛凌提供了新的助力。這使得英飛凌能夠更快地推出符合市場需求的新產(chǎn)品,并迅速占領(lǐng)市場先機(jī)。

          技術(shù)與市場的雙重優(yōu)勢

          英飛凌對GaN Systems的收購,無疑是其在氮化鎵領(lǐng)域的一次重要布局。GaN Systems作為氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),擁有15年的技術(shù)積累和豐富的市場經(jīng)驗。通過此次收購,英飛凌不僅獲得了GaN Systems在氮化鎵器件和模塊方面的專利技術(shù)和專業(yè)知識,還進(jìn)一步豐富了其產(chǎn)品線,提高了在氮化鎵領(lǐng)域的競爭力。

          GaN Systems在大功率應(yīng)用和封裝方面的專長,與英飛凌在半導(dǎo)體制造和系統(tǒng)集成方面的優(yōu)勢形成了良好的互補(bǔ)。例如,GaN Systems的嵌入式芯片封裝技術(shù),通過去除焊線,實現(xiàn)了極低的電感,有利于GaN開關(guān)的快速開關(guān)速度。這種技術(shù)結(jié)合英飛凌在制造工藝和封裝技術(shù)方面的積累,將進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能和可靠性。



          關(guān)鍵詞: 氮化鎵 英飛凌 GaN Systems

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