英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來(lái)，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng)，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過(guò)戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。

近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì)，會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)高級(jí)首席工程師宋清亮先生，向EEPW介紹了英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域的最新技術(shù)成果與新品，并分享其收購(gòu)GaN Systems公司后帶來(lái)的積極作用。

CoolGaN?技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用

氮化鎵材料以其卓越的開(kāi)關(guān)速度、超低導(dǎo)通阻抗以及高度集成設(shè)計(jì)，正引領(lǐng)著電子技術(shù)的革新。氮化鎵器件能夠輕松應(yīng)對(duì)高頻工作環(huán)境，顯著減小了被動(dòng)元器件和散熱器的尺寸，從而降低了系統(tǒng)成本。同時(shí)，其單位面積導(dǎo)通阻抗遠(yuǎn)低于硅器件，在相同功率下減少了熱量產(chǎn)生，提高了系統(tǒng)的能效比。

自2023年10月成功收購(gòu)GaN Systems以來(lái)，英飛凌的氮化鎵產(chǎn)品線得到了顯著擴(kuò)展。從原來(lái)的兩種產(chǎn)品——分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power），擴(kuò)展至五種創(chuàng)新產(chǎn)品，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。新一代CoolGaN?半導(dǎo)體器件系列，專為高壓（HV）與中壓（MV）應(yīng)用精心打造，極大地拓寬了氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用邊界，覆蓋40V至700V的廣泛電壓范圍，加速推動(dòng)了行業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型與低碳環(huán)保進(jìn)程。

CoolGaN? Transistor系列涵蓋高壓與中壓多樣產(chǎn)品，專注增強(qiáng)型器件，融合電壓與電流型驅(qū)動(dòng)技術(shù)，得益于GaN Systems收購(gòu)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)全面整合。所有氮化鎵器件均為貼片封裝，確保最小封裝集成參數(shù)，展現(xiàn)高速特性優(yōu)勢(shì)。

CoolGaN? BDS作為創(chuàng)新亮點(diǎn)，提供理想雙向開(kāi)關(guān)解決方案，解決傳統(tǒng)MOS管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)限制，實(shí)現(xiàn)單顆器件雙邊可控，開(kāi)關(guān)迅速，引領(lǐng)技術(shù)變革。該產(chǎn)品雖未上市，但預(yù)期將受市場(chǎng)熱烈反響，適用于電池保護(hù)、大功率電池管理、電動(dòng)工具及儲(chǔ)能光伏等高壓雙向開(kāi)關(guān)需求場(chǎng)景。

CoolGaN? Smart Sense引入溝槽電流檢測(cè)技術(shù)，通過(guò)內(nèi)部溝槽采樣電流，實(shí)現(xiàn)高精度電流監(jiān)控，避免外部電阻損耗及高速開(kāi)關(guān)下的雜訊問(wèn)題，提升系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。

針對(duì)市場(chǎng)長(zhǎng)期存在的門極驅(qū)動(dòng)難題，CoolGaN? Drive提供集成化解決方案，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，確保高效穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)。該方案兼容原有硅器件驅(qū)動(dòng)電壓，無(wú)需調(diào)整偏置電壓，實(shí)現(xiàn)無(wú)縫替換與升級(jí)，提升用戶體驗(yàn)。

收購(gòu)GaN Systems讓英飛凌更飽滿

通過(guò)此次產(chǎn)品系列的推出，英飛凌旨在進(jìn)一步強(qiáng)化CoolGaN?的品牌優(yōu)勢(shì)，并顯著提升其在全球GaN器件市場(chǎng)供應(yīng)鏈中的穩(wěn)定供應(yīng)能力。依托英飛凌自主研發(fā)的8英寸晶圓工藝精心制造，彰顯了英飛凌在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能提升上的堅(jiān)定承諾。根據(jù)Yole Group的權(quán)威預(yù)測(cè)，GaN器件市場(chǎng)將迎來(lái)前所未有的增長(zhǎng)機(jī)遇，預(yù)計(jì)未來(lái)五年將以驚人的46%年復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)擴(kuò)張，而英飛凌正站在這一行業(yè)變革的前沿，引領(lǐng)未來(lái)。

通過(guò)收購(gòu)GaN Systems，英飛凌不僅獲得了GaN Systems豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)專利，還極大地豐富了自身的物料品類。這使得英飛凌能夠?yàn)榭蛻籼峁└尤妗⒍鄻拥牡壗鉀Q方案，滿足不同行業(yè)、不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。同時(shí)，英飛凌的IP儲(chǔ)量也因此得到了顯著提升，為其在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。

程文濤表示，GaN Systems在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累為英飛凌打開(kāi)了新的技術(shù)研發(fā)思路。雙方研發(fā)資源的整合和應(yīng)用人員的協(xié)作，產(chǎn)生了許多思想上的碰撞和靈感火花。雙方的技術(shù)交流與合作，促進(jìn)了英飛凌在氮化鎵技術(shù)上的不斷突破和創(chuàng)新。例如，英飛凌在收購(gòu)后推出的CoolGaN系列新產(chǎn)品，就是雙方技術(shù)融合與創(chuàng)新的成果體現(xiàn)。一方面，雙方研發(fā)團(tuán)隊(duì)的合并使得英飛凌在氮化鎵技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)力量得到了加強(qiáng)；另一方面，GaN Systems在市場(chǎng)推廣方面的經(jīng)驗(yàn)和資源也為英飛凌提供了新的助力。這使得英飛凌能夠更快地推出符合市場(chǎng)需求的新產(chǎn)品，并迅速占領(lǐng)市場(chǎng)先機(jī)。

技術(shù)與市場(chǎng)的雙重優(yōu)勢(shì)

英飛凌對(duì)GaN Systems的收購(gòu)，無(wú)疑是其在氮化鎵領(lǐng)域的一次重要布局。GaN Systems作為氮化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，擁有15年的技術(shù)積累和豐富的市場(chǎng)經(jīng)驗(yàn)。通過(guò)此次收購(gòu)，英飛凌不僅獲得了GaN Systems在氮化鎵器件和模塊方面的專利技術(shù)和專業(yè)知識(shí)，還進(jìn)一步豐富了其產(chǎn)品線，提高了在氮化鎵領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

GaN Systems在大功率應(yīng)用和封裝方面的專長(zhǎng)，與英飛凌在半導(dǎo)體制造和系統(tǒng)集成方面的優(yōu)勢(shì)形成了良好的互補(bǔ)。例如，GaN Systems的嵌入式芯片封裝技術(shù)，通過(guò)去除焊線，實(shí)現(xiàn)了極低的電感，有利于GaN開(kāi)關(guān)的快速開(kāi)關(guān)速度。這種技術(shù)結(jié)合英飛凌在制造工藝和封裝技術(shù)方面的積累，將進(jìn)一步提升氮化鎵器件的性能和可靠性。