SK 海力士加大環(huán)保投入,在芯片生產(chǎn)工藝中使用氟氣替代三氟化氮
7 月 25 日消息,SK 海力士宣布將在芯片生產(chǎn)清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣(F2)。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202407/461371.htmSK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報(bào)告顯示,該公司原先將三氟化氮(NF3)用于芯片生產(chǎn)過程中的清洗工藝,用于去除沉積過程中腔室內(nèi)部形成的殘留物,其全球變暖潛能值(GWP)顯著高于氟氣(NF3的 GWP 為 17200,而 F2為 0)。
除此之外,SK 海力士還進(jìn)一步增加了氫氟酸(HF)的使用量(可用于低溫蝕刻設(shè)備),該氣體的 GWP 為 1 甚至更低,遠(yuǎn)低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳?xì)怏w。
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