臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠4nm試產(chǎn)良率已與在臺(tái)工廠相近

據(jù)彭博社援引消息稱，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州晶圓廠項(xiàng)目首座工廠4nm產(chǎn)線的試產(chǎn)良率已與臺(tái)積電位于臺(tái)灣地區(qū)的南科廠良率相近。臺(tái)積電在回應(yīng)彭博社報(bào)道的電子郵件中表示，其亞利桑那州項(xiàng)目“正在按計(jì)劃進(jìn)行，進(jìn)展良好”。

根據(jù)此前的信息顯示，臺(tái)積電美國(guó)亞利桑那州的第一座晶圓廠在今年4月中旬完成了第一條生產(chǎn)線的架設(shè)，并開始接電并投入基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，而根據(jù)彭博社最新的報(bào)道來看，基于該生產(chǎn)線的第一批試產(chǎn)的4nm晶圓良率如果與南科廠良率相當(dāng)，那么表明其后續(xù)如果量產(chǎn)，良率將不是問題。

根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠，其中晶圓一廠（Fab21）是4nm制程晶圓廠，晶圓二廠則是3nm晶圓廠。臺(tái)積電原計(jì)劃在2024年讓其首座亞利桑那州工廠全面投產(chǎn)，但由于缺乏熟練工人，將這一目標(biāo)推遲到了2025年 —— 這一延遲曾引發(fā)人們擔(dān)心臺(tái)積電在美國(guó)是否能像在本部一樣高效制造芯片，晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。

此外，臺(tái)積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029-2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

據(jù)臺(tái)積電方面透露，該首座晶圓廠有望在今年內(nèi)完成所有量產(chǎn)準(zhǔn)備，并有望提前達(dá)到公司原定的2025年量產(chǎn)目標(biāo)。這一進(jìn)展不僅將大幅提升臺(tái)積電在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，還將為包括人工智能（AI）在內(nèi)的高端應(yīng)用提供更加強(qiáng)大的支持。

臺(tái)積電這三座晶圓廠的總投資將會(huì)達(dá)到650億美元。根據(jù)臺(tái)積電與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成的不具約束力的初步備忘錄，后者將根據(jù)美國(guó)「芯片法案」向臺(tái)積電授予最多66億美元直接資金補(bǔ)貼和50億美元貸款。

值得注意的是，按照晶圓一廠從試產(chǎn)到量產(chǎn)約6.5個(gè)月、驗(yàn)證一個(gè)月估算，臺(tái)積電有機(jī)會(huì)在今年底就完成量產(chǎn)所有準(zhǔn)備，那么明年上半年將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。預(yù)計(jì)屆時(shí)蘋果、英偉達(dá)、AMD、高通等美國(guó)芯片設(shè)計(jì)大廠都將會(huì)下單。