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          國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破!

          作者: 時(shí)間:2024-09-12 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀(guān)察 收藏

          公開(kāi)消息顯示,近期我國(guó)在離子注入、刻蝕、薄膜沉積、第三代半導(dǎo)體等領(lǐng)域取得多番突破。國(guó)產(chǎn)設(shè)備大廠(chǎng)自2020年起至今年上半年,業(yè)績(jī)實(shí)現(xiàn)了較大程度的增長(zhǎng)。近幾年的驅(qū)動(dòng)因素包括受人工智能計(jì)算需求大幅提升、全球晶圓制造產(chǎn)能擴(kuò)張、高性能計(jì)算和存儲(chǔ)相關(guān)設(shè)備以及第三代需求猛漲等??傮w來(lái)看,業(yè)界關(guān)于“是近幾年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中業(yè)績(jī)確定性最強(qiáng)的細(xì)分領(lǐng)域”定論依舊適用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/202409/462917.htm

          01國(guó)產(chǎn)設(shè)備多番突破

          國(guó)家電投完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶(hù)交付

          據(jù)國(guó)家電力投資集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)家電投”)9月10日消息,近日,國(guó)家電投所屬?lài)?guó)電投核力創(chuàng)芯(無(wú)錫)科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“核力創(chuàng)芯”)暨國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)(功率芯片質(zhì)子輻照)研發(fā)中心,完成首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶(hù)交付。

          國(guó)家電投表示,這標(biāo)志著我國(guó)已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝,補(bǔ)全了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán),為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國(guó)產(chǎn)化奠定了基礎(chǔ)。

          據(jù)國(guó)家電投介紹,氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié),在集成電路、功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等多種類(lèi)型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中起著關(guān)鍵作用,該領(lǐng)域核心技術(shù)及裝備工藝的缺失嚴(yán)重制約了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展,特別是600V以上高壓功率芯片長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口。核力創(chuàng)芯的技術(shù)突破,打破了國(guó)外壟斷。

          官方資料顯示,核力創(chuàng)芯在不到三年的時(shí)間里,突破多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)壁壘,實(shí)現(xiàn)了100%自主技術(shù)和100%裝備國(guó)產(chǎn)化,建成了我國(guó)首個(gè)核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺(tái)。首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計(jì)近萬(wàn)小時(shí)的工藝及可靠性測(cè)試驗(yàn)證,主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平,獲得用戶(hù)高度評(píng)價(jià)。

          企查查顯示,核力創(chuàng)芯成立于2021年,注冊(cè)地位于江蘇省無(wú)錫市,是國(guó)家電投集團(tuán)核技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目——功率芯片質(zhì)子輻照項(xiàng)目的承建單位,注冊(cè)資本7022.63萬(wàn)元。

          中微公司:關(guān)鍵零組件“自主可控”比例已超過(guò)9成,預(yù)期今年三季度可達(dá)100%

          近日,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)中微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯尹志堯表示,當(dāng)前中微自主化進(jìn)展順利,關(guān)鍵零組件“自主可控”比例已超過(guò)9成,預(yù)期在2024年第3季就能達(dá)到100%。他相信在5~10年,中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)可以趕上最先進(jìn)水平。

          近年來(lái),芯片從二維向三維的結(jié)構(gòu)變化帶來(lái)了新的市場(chǎng)機(jī)遇。尹志堯認(rèn)為,集成電路發(fā)展到當(dāng)前階段,光刻機(jī)的關(guān)鍵作用在減弱,而刻蝕、薄膜和其它設(shè)備的關(guān)鍵作用在增強(qiáng)。深層結(jié)構(gòu)不是靠光刻,而是薄膜等其它設(shè)備的綜合作戰(zhàn),這對(duì)國(guó)內(nèi)企業(yè)來(lái)說(shuō)是很大的機(jī)會(huì)。

          中微未來(lái)設(shè)定了三大業(yè)務(wù)方向,一是集成電路設(shè)備,從刻蝕到薄膜再到檢測(cè)等關(guān)鍵領(lǐng)域,更多地去做開(kāi)發(fā);二是泛半導(dǎo)體設(shè)備,公司將借助現(xiàn)有技術(shù)積累,擴(kuò)展布局顯示、微機(jī)電系統(tǒng)、功率器件、太陽(yáng)能領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備;三是進(jìn)軍光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,中微公司通過(guò)投資布局了第四大設(shè)備市場(chǎng)——光學(xué)檢測(cè)設(shè)備,近期將盡快開(kāi)發(fā)出電子束檢測(cè)設(shè)備,這也是除光刻機(jī)以外最大的短板。

          目前中微公司正在持續(xù)研發(fā)多款半導(dǎo)體設(shè)備,據(jù)中微公司披露,目前針對(duì)邏輯和存儲(chǔ)芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設(shè)備已經(jīng)在客戶(hù)產(chǎn)線(xiàn)上展開(kāi)驗(yàn)證,多款I(lǐng)CP刻蝕設(shè)備在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn)DRAM和3D NAND產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證推進(jìn)順利并陸續(xù)取得客戶(hù)批量訂單。晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備完成開(kāi)發(fā),即將進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證,公司的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備也越來(lái)越多地應(yīng)用在先進(jìn)封裝和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))器件生產(chǎn)。據(jù)其官方微信披露,近期,其最新研發(fā)的半導(dǎo)體薄膜設(shè)備——12英寸高深寬比金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex?HW以及12英寸原子層金屬鎢沉積設(shè)備Preforma Uniflex?AW已推出,標(biāo)志著中微公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域中擴(kuò)展了全新的工藝應(yīng)用。

          萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導(dǎo)體:離子注入機(jī)基本自主可控!

          近日,萬(wàn)業(yè)企業(yè)旗下凱世通半導(dǎo)體與國(guó)內(nèi)頂尖的集成電路制造企業(yè)、中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所等達(dá)成戰(zhàn)略合作,通過(guò)簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,各方將促進(jìn)上游零部件企業(yè)一體化發(fā)展,進(jìn)而幫助下游用戶(hù)解決本土芯片制造的連續(xù)性挑戰(zhàn)。

          萬(wàn)業(yè)企業(yè)總裁兼旗下凱世通董事長(zhǎng)李勇軍博士表示,凱世通提早布局,目前已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)供應(yīng)鏈自主可控。此次戰(zhàn)略合作的簽約項(xiàng)目,包括微波等離子體噴槍、靜電吸盤(pán)材料、真空自動(dòng)化機(jī)器人、超高能射頻加速器、射頻電源、高精度氣體流量計(jì)等多款關(guān)鍵零部件,致力于填補(bǔ)國(guó)內(nèi)空白。

          在上下游產(chǎn)業(yè)鏈的緊密協(xié)作下,凱世通多個(gè)關(guān)鍵零部件項(xiàng)目已開(kāi)花結(jié)果。其中,微波等離子體噴槍主要用于離子注入靜電中和,相對(duì)于傳統(tǒng)的燈絲型等離子體噴槍?zhuān)捎行Ы档徒饘傥廴?,從而提升芯片制造的良品率。這一零部件是滿(mǎn)足以AI、HBM、傳感器為代表的新質(zhì)生產(chǎn)力芯片嚴(yán)苛制造要求的關(guān)鍵。經(jīng)過(guò)系列科技攻關(guān)與研發(fā)創(chuàng)新,凱世通已實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破,產(chǎn)品測(cè)試性能表現(xiàn)優(yōu)異,維護(hù)成本低,并已交付給客戶(hù)進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證。

          天津大學(xué)在氮化鋁、氮化硅陶瓷半導(dǎo)體設(shè)備耗材高精度加工領(lǐng)域取得重大突破

          近日,天津大學(xué)先進(jìn)材料團(tuán)隊(duì)在氮化鋁、氮化硅陶瓷半導(dǎo)體設(shè)備耗材高精度加工方面取得突破,研發(fā)出低損傷超精密制造系統(tǒng),助力我國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵耗材自主可控。相關(guān)研究成果在線(xiàn)發(fā)表于《極端制造》。

          此次,該校團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)的主軸微納調(diào)控超精密制造系統(tǒng),成功解決了硬脆材料在精密加工過(guò)程中極易出現(xiàn)的表面/亞表面損傷問(wèn)題,實(shí)現(xiàn)了氮化硅、氮化鋁陶瓷等硬脆材料的高效率、高精度加工。
          公開(kāi)資料顯示,氮化硅、氮化鋁陶瓷作為半導(dǎo)體行業(yè)中不可或缺的關(guān)鍵材料,廣泛應(yīng)用于晶圓的氧化、刻蝕、離子注入等多種工藝制程中。然而,由于其極高的制造門(mén)檻和復(fù)雜的結(jié)構(gòu)特性,這些材料的超精密制造一直是制約我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題之一。傳統(tǒng)加工方法往往難以在保證加工精度的同時(shí),有效控制材料損傷,從而影響精密部件的使用性能和壽命。

          針對(duì)這一難題,天津大學(xué)先進(jìn)材料與高性能制造團(tuán)隊(duì)系統(tǒng)開(kāi)展了硬脆材料去除機(jī)理、近無(wú)損加工工藝以及專(zhuān)用超聲加工裝備等多方面的基礎(chǔ)與應(yīng)用研究。研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)深入探索多類(lèi)型陶瓷材料的損傷生成機(jī)制,成功突破了硬脆材料加工過(guò)程中的力熱調(diào)控以及大尺寸面型收斂工藝難題。他們創(chuàng)新性地提出了硬脆材料大深徑比制孔、旋量可控磨拋等關(guān)鍵技術(shù),不僅實(shí)現(xiàn)了對(duì)大尺寸復(fù)雜結(jié)構(gòu)氮化硅、氮化鋁陶瓷的高效加工,還顯著降低了加工過(guò)程中的材料損傷。

          該主軸微納調(diào)控超精密制造系統(tǒng)的成功研發(fā),為硬脆材料的高精度低損傷加工提供了強(qiáng)有力的技術(shù)保障。該系統(tǒng)通過(guò)微納級(jí)別的精準(zhǔn)調(diào)控,實(shí)現(xiàn)了對(duì)加工過(guò)程的精細(xì)化控制,有效避免了傳統(tǒng)加工方法中的“一刀切”問(wèn)題,顯著提升了加工精度和效率。同時(shí),該系統(tǒng)還具備高度的靈活性和適應(yīng)性,能夠滿(mǎn)足不同規(guī)格、不同結(jié)構(gòu)的硬脆材料加工需求,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的多樣化發(fā)展提供了有力支持。

          02“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置在漢驗(yàn)收

          去年四季度,據(jù)長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)消息,半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設(shè)備——“薄膜生長(zhǎng)”實(shí)驗(yàn)裝置在武漢通過(guò)驗(yàn)收,這項(xiàng)原創(chuàng)性突破可提升半導(dǎo)體芯片質(zhì)量。

          這套自主研制的“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置,由武漢大學(xué)劉勝教授牽頭,聯(lián)合華中科技大學(xué)、清華大學(xué)天津高端裝備研究院、華南理工大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所等多家單位,歷時(shí)5年完成。官方資料顯示,這套“薄膜生長(zhǎng)”國(guó)產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置由“進(jìn)樣腔”“高真空環(huán)形機(jī)械手傳樣腔”等多個(gè)腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”“超快電子成像系統(tǒng)”等多個(gè)構(gòu)件組成,占地面積20余平方米。

          “如同光刻工藝一樣,半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝?!蔽錆h大學(xué)副研究員吳改介紹了這套實(shí)驗(yàn)裝置的工作原理:將硅、藍(lán)寶石等襯底放入進(jìn)樣腔,通過(guò)“高真空環(huán)形機(jī)械手”將襯底轉(zhuǎn)運(yùn)至功能不同的腔體,實(shí)現(xiàn)襯底的預(yù)處理、薄膜生長(zhǎng)、等離子體清洗等過(guò)程。

          03我國(guó)設(shè)備行業(yè)高速發(fā)展

          目前,包括北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、拓荊科技、中科飛測(cè)等16家國(guó)產(chǎn)設(shè)備大廠(chǎng)均披露了今年上半年財(cái)報(bào),其中有6家企業(yè)營(yíng)收同比增長(zhǎng)超30%,5家企業(yè)歸母凈利潤(rùn)超30%。營(yíng)收前五為北方華創(chuàng)、晶盛機(jī)電、中微公司、盛美上海、至純科技和長(zhǎng)川科技。

          從在這16家A股半導(dǎo)體設(shè)備公司的從存貨和合同負(fù)債來(lái)看,有超10家公司兩項(xiàng)指標(biāo)均實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng)。表明設(shè)備行業(yè)獲將繼續(xù)維持較高景氣度。以下我們將重點(diǎn)看看北方華創(chuàng)、中微公司、盛美上海、晶盛機(jī)電和晶升股份情況。

          北方華創(chuàng)

          北方華創(chuàng)上半年存貨211.3億,主要在于產(chǎn)品和庫(kù)存商品增加,并且公司訂單充足。值得注意的是,作為半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),北方華創(chuàng)在近一年內(nèi)也頗受北上資金的青睞。無(wú)論是在凈加倉(cāng)規(guī)模還是加倉(cāng)幅度方面,都名列前茅。

          技術(shù)研發(fā)上,目前,北方華創(chuàng)面向300mm晶圓廠(chǎng)的12英寸產(chǎn)品不斷突破,TSV硅通孔金屬化設(shè)備是針對(duì)2.5D/3D立體封裝和Chiplet芯粒等先進(jìn)封裝領(lǐng)域的薄膜沉積設(shè)備,目前北方華創(chuàng)的TSV刻蝕設(shè)備已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)主流晶圓廠(chǎng)和先進(jìn)封裝廠(chǎng),是國(guó)內(nèi)TSV量產(chǎn)線(xiàn)的主力機(jī)臺(tái)。12英寸高密度等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備目前已正式進(jìn)入客戶(hù)端驗(yàn)證,電容耦合等離子體、晶邊刻蝕機(jī)已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證,等離子去膠機(jī)、高介電常數(shù)原子層沉積設(shè)備已在國(guó)內(nèi)多家客戶(hù)端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),減壓外延設(shè)備已在多家客戶(hù)穩(wěn)定量產(chǎn)并獲得重復(fù)訂單,集成電路鋁襯墊濺射設(shè)備已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

          此外,今年上半年,北方華創(chuàng)再融資項(xiàng)目繼去年年底“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地三期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”順利投產(chǎn)后,“半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地四期擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”也已建成并投入使用。

          中微公司

          中微公司半年報(bào)顯示,公司的合同負(fù)債大幅增加,去年年底是7.72億元,現(xiàn)在是25.25億元,中微公司表示,較為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭將在下半年延續(xù)。據(jù)披露,中微公司目前訂單充足,預(yù)計(jì)2024年前三季度的累計(jì)新增訂單超過(guò)75億元,同比增長(zhǎng)超過(guò)50%;公司預(yù)計(jì)2024年累計(jì)新增訂單將達(dá)110億元至130億元,預(yù)計(jì)2024年全年付運(yùn)設(shè)備臺(tái)數(shù)將同比去年增長(zhǎng)200%以上。

          在中微公司的財(cái)報(bào)中,其具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的主力產(chǎn)品等離子體刻蝕設(shè)備取得收入26.98億元,同比增長(zhǎng)高達(dá)56.68%,營(yíng)收占比約為78.26%。公開(kāi)信息顯示,中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已批量應(yīng)用在國(guó)內(nèi)外一線(xiàn)客戶(hù)從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線(xiàn)及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線(xiàn)。

          在持續(xù)研發(fā)方面,據(jù)中微公司披露,目前針對(duì)邏輯和存儲(chǔ)芯片制造中最關(guān)鍵刻蝕工藝的多款設(shè)備已經(jīng)在客戶(hù)產(chǎn)線(xiàn)上展開(kāi)驗(yàn)證,多款I(lǐng)CP刻蝕設(shè)備在先進(jìn)邏輯芯片、先進(jìn)DRAM和3D NAND產(chǎn)線(xiàn)驗(yàn)證推進(jìn)順利并陸續(xù)取得客戶(hù)批量訂單。晶圓邊緣Bevel刻蝕設(shè)備完成開(kāi)發(fā),即將進(jìn)入客戶(hù)驗(yàn)證,公司的TSV硅通孔刻蝕設(shè)備也越來(lái)越多地應(yīng)用在先進(jìn)封裝和MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))器件生產(chǎn)。擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作上,中微公司已經(jīng)為提高產(chǎn)能應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求增長(zhǎng)做好了準(zhǔn)備。8月份,中微公司臨港產(chǎn)業(yè)化基地正式啟用,據(jù)了解,該基地占地約157畝、總建筑面積約18萬(wàn)平方米,項(xiàng)目基礎(chǔ)建設(shè)總投資約15億元。

          晶盛機(jī)電和晶升股份

          對(duì)于上半年業(yè)績(jī)“增收不增利”,晶盛機(jī)電解釋?zhuān)饕遣牧蠘I(yè)務(wù)產(chǎn)品價(jià)格下降導(dǎo)致毛利率下降,以及經(jīng)營(yíng)規(guī)模增加導(dǎo)致的折舊及攤銷(xiāo)費(fèi)用大幅增加。

          第三代半導(dǎo)體碳化硅已逐步邁入8英寸時(shí)代,碳化硅設(shè)備和材料作為晶盛機(jī)電業(yè)績(jī)的第三增長(zhǎng)曲線(xiàn),近年來(lái)營(yíng)收占比不斷上升。在業(yè)績(jī)報(bào)告中,晶盛機(jī)電強(qiáng)調(diào)了8英寸單片式和雙片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備、碳化硅光學(xué)量測(cè)設(shè)備等研發(fā)進(jìn)展。在今年3月中旬的SEMICON China中,晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式碳化硅外延設(shè)備、8英寸碳化硅量測(cè)設(shè)備等,意味著晶盛機(jī)電正在從長(zhǎng)晶、檢測(cè)等環(huán)節(jié)深化對(duì)8英寸碳化硅設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈的布局,并逐步實(shí)現(xiàn)了碳化硅外延設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代。

          在碳化硅設(shè)備領(lǐng)域,我國(guó)除了晶盛機(jī)電外,晶升股份研發(fā)進(jìn)程同樣值得關(guān)注。晶升股份上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1.99億元,同比增長(zhǎng)73.76%;歸母凈利潤(rùn)0.35億元,同比增長(zhǎng)131.99%;歸母扣非凈利潤(rùn)0.17億元,同比增長(zhǎng)116.47%。其業(yè)績(jī)的持續(xù)增長(zhǎng)與近年來(lái)碳化硅產(chǎn)業(yè)的火熱發(fā)展密切相關(guān)。8月7日,晶升股份在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,其第一批8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已于2024年7月在重慶完成交付。這意味著晶升股份8英寸碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備已完成驗(yàn)證,開(kāi)啟了批量交付進(jìn)程。

          盛美上海

          盛美上海半年報(bào)顯示,公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入24.04億元,同比增長(zhǎng)49.33%;凈利潤(rùn)4.43億元,同比增長(zhǎng)0.85%;扣非凈利潤(rùn)4.35億元,同比增長(zhǎng)6.92%。在其財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)中,盛美上海合同負(fù)債高至10.42億,表明了其較好的業(yè)績(jī)預(yù)期。對(duì)于今年業(yè)績(jī),盛美上海上調(diào)至53億元—58.8億元。

          近日,盛美上海于臨港舉行“盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心試生產(chǎn)儀式”。據(jù)悉,盛美半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)與制造中心共有5個(gè)單體,包含兩座研發(fā)樓、兩座廠(chǎng)房和一座輔助廠(chǎng)房,建筑面積近13.8萬(wàn)平方米,其中廠(chǎng)房面積4萬(wàn)平方米,滿(mǎn)產(chǎn)運(yùn)行后預(yù)計(jì)將帶來(lái)百億產(chǎn)值。

          2024年以來(lái),盛美上海多款設(shè)備實(shí)現(xiàn)迭代升級(jí)和技術(shù)突破。8月,推出用于扇出型面板級(jí)封裝(FOPLP)應(yīng)用的新型Ultra C bev-p面板邊緣刻蝕設(shè)備;3月,濕法設(shè)備4000腔順利交付;5月,順利推出用于先進(jìn)封裝的全新產(chǎn)品帶框晶圓清洗設(shè)備。新設(shè)備的加持,保證了公司產(chǎn)品的多元性。值得一提的是,今年年初,盛美上海披露了2024年度定增預(yù)案,擬再融資45億元,用于強(qiáng)化研發(fā)測(cè)試能力,助力公司平臺(tái)化及全球化發(fā)展,并補(bǔ)充流動(dòng)資金。




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