廣東：大力推動刻蝕機等光芯片關鍵裝備研發(fā)和國產化替代

據廣東省人民政府官方消息，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案(2024—2030年)》。

其中提到，力爭到2030年取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上“拳頭”產品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業(yè)，建設10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺，培育形成新的千億級產業(yè)集群，建設成為具有全球影響力的光芯片產業(yè)創(chuàng)新高地。

省重點領域研發(fā)計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片、通感融合芯片、薄膜鈮酸鋰材料、磷化銦襯底材料、有機半導體材料、硅光集成技術、柔性集成技術、磊晶生長和外延工藝、核心半導體設備等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產業(yè)鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。

推進光芯片關鍵裝備研發(fā)制造。大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數網絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發(fā)和國產化替代。落實工業(yè)設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。