消息稱三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

 10 月 29 日消息，《韓國經(jīng)濟(jì)日報》當(dāng)?shù)貢r間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過 400，而預(yù)計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。

三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。

報道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因為這代產(chǎn)品將調(diào)整 NAND 結(jié)構(gòu)，從目前的 CoP 外圍上單元改為分別制造存儲單元和外圍電路后垂直鍵合，整體思路與長江存儲 Xtacking、鎧俠-西部數(shù)據(jù) CBA 相似。

韓媒表示，這一改動可防止 NAND 堆疊過程中對外圍電路結(jié)構(gòu)的破壞，還能實現(xiàn)較 CoP 方案高出 60% 的位密度；2027 年的 V11 NAND 層數(shù)進(jìn)一步增長，I/O 速率可提升 50%；未來有望實現(xiàn)千層堆疊。

而在 DRAM 內(nèi)存領(lǐng)域，韓媒表示三星電子將于 2025 年上半年推出 1c nm DRAM，2026 年推出 1d nm DRAM，而到 2027 年則將推出第一代 10nm 以下級 0a nm DRAM 內(nèi)存，整體同三星存儲器業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人李禎培此前展示的內(nèi)容相近。

報道認(rèn)為三星電子將在 0a nm 節(jié)點引入 VCT（IT之家注：垂直通道晶體管）技術(shù)，構(gòu)建三維結(jié)構(gòu)的 DRAM 內(nèi)存，進(jìn)一步提升容量的同時減少臨近單元干擾。此前消息指，三星將于明年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)。