碳化硅大風(fēng)，吹至半導(dǎo)體設(shè)備

2025年以來(lái)，碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來(lái)關(guān)鍵發(fā)展節(jié)點(diǎn)，正式步入8英寸產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的重要階段。在這一背景下，繼中國(guó)電科30臺(tái)套SiC外延設(shè)備順利發(fā)貨之后，碳化硅設(shè)備領(lǐng)域又傳動(dòng)態(tài)：中導(dǎo)光電拿下SiC頭部客戶(hù)重復(fù)訂單。 

近日，中導(dǎo)光電的納米級(jí)晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備N(xiāo)anoPro-150獲得國(guó)內(nèi)又一SiC頭部客戶(hù)的重復(fù)訂單，該設(shè)備用于SiC前道工藝過(guò)程缺陷檢測(cè)。此外，1月初，該設(shè)備產(chǎn)品還成功贏得了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)頭部企業(yè)的重復(fù)訂單。 

中導(dǎo)光電表示，公司將在SiC晶圓納米級(jí)缺陷檢測(cè)領(lǐng)域投入更多的研發(fā)資源，通過(guò)高精度多模式缺陷檢測(cè)技術(shù)的升級(jí)、人工智能AI缺陷識(shí)別算法的系統(tǒng)優(yōu)化、設(shè)備整體性能提升等多方面的努力，使SiC晶圓制造的質(zhì)量和效率得到顯著提升。

 source：“中導(dǎo)光電”官微

洞察SiC晶圓制造檢測(cè)難點(diǎn)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，近年來(lái)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中備受矚目。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料相比，碳化硅具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)、高電子飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性。這些特性使得碳化硅在高溫、高頻、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出明顯優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新能源、5G通信、電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域。 

在新能源汽車(chē)中，碳化硅功率器件能夠有效降低能量損耗，提升續(xù)航里程；在5G通信基站里，它能滿(mǎn)足高頻信號(hào)處理的需求，實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)傳輸。

然而，要充分發(fā)揮碳化硅的這些優(yōu)勢(shì)，高質(zhì)量的SiC晶圓制造至關(guān)重要，其中碳化硅設(shè)備扮演著不可或缺的角色。 SiC晶圓制造過(guò)程對(duì)缺陷檢測(cè)的要求極高，因?yàn)槿魏挝⑿∪毕荻伎赡苡绊懽罱K產(chǎn)品的性能。

SiC晶圓缺陷檢測(cè)的難點(diǎn)眾多，比如材料特性復(fù)雜，其晶體結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)與傳統(tǒng)硅材料有很大差異，增加了檢測(cè)難度；納米級(jí)缺陷檢測(cè)需要極高的精度，而高靈敏度要求使得檢測(cè)過(guò)程中區(qū)分真實(shí)缺陷和噪聲信號(hào)成為挑戰(zhàn)；此外，SiC晶圓的多層結(jié)構(gòu)也給檢測(cè)帶來(lái)困難。 

同時(shí)，SiC缺陷類(lèi)型多樣，在檢測(cè)過(guò)程中需要精準(zhǔn)區(qū)分真實(shí)缺陷和噪聲信號(hào)，這對(duì)算法和設(shè)備的穩(wěn)定性提出了更高要求。再加上SiC晶圓的高成本，要求檢測(cè)設(shè)備在保證高精度的同時(shí)，還要具備較高的檢測(cè)效率，以降低整體生產(chǎn)成本。

碳化硅產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)白熱化

目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。除了中導(dǎo)光電在缺陷檢測(cè)設(shè)備方面取得進(jìn)展外，還有眾多企業(yè)也在積極從產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)進(jìn)行布局。

source：拍信網(wǎng) 

近期有消息傳出，德國(guó)汽車(chē)零部件供應(yīng)商博世已與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成初步協(xié)議，計(jì)劃投資19億美元把加州的羅斯維爾制造設(shè)施工廠改造為生產(chǎn)8英寸碳化硅芯片的半導(dǎo)體工廠。 

而重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年2月底通線，該項(xiàng)目由三安光電和意法半導(dǎo)體合資建廠，全面整合8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅的襯底、外延、芯片的研發(fā)制造。 

英飛凌馬來(lái)西亞居林高科技園區(qū)第三廠區(qū)已經(jīng)正式落成并開(kāi)始運(yùn)作，以碳化硅為主力，預(yù)計(jì)2025年開(kāi)始量產(chǎn)，目前初期碳化硅生產(chǎn)仍以成熟的6寸晶圓為主，2027全面轉(zhuǎn)向8寸晶圓。 

據(jù)此前市場(chǎng)透露，2025年，芯聯(lián)集成計(jì)劃進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)，其在2024年4月率先開(kāi)啟8英寸碳化硅生產(chǎn)；南砂晶圓8英寸碳化硅單晶和襯底項(xiàng)目計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)滿(mǎn)產(chǎn)達(dá)產(chǎn)，規(guī)劃打造全國(guó)最大的8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地。

結(jié)語(yǔ)

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究數(shù)據(jù)指出，SiC在汽車(chē)、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場(chǎng)中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢(shì)，未來(lái)幾年整體市場(chǎng)需求將維持增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)估2028年全球SiCPowerDevice市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。 總體而言，隨著全球?qū)μ蓟栊枨蟮某掷m(xù)攀升，未來(lái)碳化硅產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)技術(shù)與市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)的發(fā)展態(tài)勢(shì)。

碳化硅在新能源汽車(chē)、5G通信、航空航天、智能電網(wǎng)等更多領(lǐng)域持續(xù)拓展應(yīng)用，也將進(jìn)一步刺激市場(chǎng)對(duì)碳化硅設(shè)備的需求，推動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展壯大。 業(yè)界稱(chēng)，未來(lái)行業(yè)研發(fā)重點(diǎn)將集中于提升設(shè)備精度、效率以及降低成本。在晶體生長(zhǎng)設(shè)備方面，如何生長(zhǎng)出更大尺寸、更高質(zhì)量的碳化硅晶體，減少晶體缺陷，將成為技術(shù)突破的關(guān)鍵方向。