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	 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > 稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利
          
						
          
				作者：
				時間：2025-02-25
				來源：SEMI

							
				
				
				
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          據(jù)韓媒報道，三星已確認(rèn)從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術(shù)，特別是在新的先進(jìn)封裝技術(shù)“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協(xié)議，達(dá)成合作。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/202502/467268.htm
          據(jù)悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產(chǎn)的下一代NAND，該產(chǎn)品預(yù)計將具有約420至430層。將采用多項新技術(shù)，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)。
          據(jù)了解，長江存儲是最早將混合鍵合應(yīng)用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術(shù)命名為“晶棧Xtacking”。該技術(shù)可在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù) I/O 及記憶單元操作的外圍電路。這樣的加工方式有利于選擇合適的先進(jìn)邏輯工藝，以讓 NAND 獲取更高的 I/O 接口速度及更多的操作功能。
          在創(chuàng)業(yè)初期，長江存儲通過與美國科技公司Xperi簽署許可協(xié)議獲得了混合鍵合技術(shù)的原始專利。隨后，長江存儲還在NAND封裝技術(shù)方面建立了相當(dāng)多的自主專利，在相關(guān)技術(shù)上擁有強(qiáng)大的專利積累。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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