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          IC測(cè)試常見(jiàn)問(wèn)答

          作者: 時(shí)間:2013-09-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          分析測(cè)試系統(tǒng)的問(wèn)題。

            把DEVICE交給DA的結(jié)果無(wú)非就是確認(rèn)電路某個(gè)壞點(diǎn)或者觀(guān)察一下curve trace的圖形。基于樓主的描述,基本上可以確定是這顆產(chǎn)品的問(wèn)題,driving pattern和i/o的assignment應(yīng)該不會(huì)有錯(cuò),否則標(biāo)準(zhǔn)件不會(huì)過(guò)關(guān)。

            如果要究其原因,我想大概要聯(lián)系到半導(dǎo)體物理的內(nèi)容了。電路參數(shù)的fluctuation造成的intermitent failure有可能是alpha粒子的轟擊或者電路內(nèi)部EMI(電磁輻射,如果片內(nèi)有感性器件的話(huà))所造成的,我想工程上是不需要涉及到這個(gè)LEVEL的。

            目前的解決方法就是請(qǐng)DA出一個(gè)報(bào)告,主要是benchtest和curve trace的報(bào)告,觀(guān)察在靜態(tài)(無(wú)relay動(dòng)作下)條件下ICC/VCC的曲線(xiàn)特征。做到這一步也就可以了。

            測(cè)試穩(wěn)定性關(guān)系到你本身產(chǎn)品的性能、測(cè)試方法、還有硬件(設(shè)備、Test Board)。

            1、測(cè)試不穩(wěn)定的參數(shù)是否僅有VOUT一項(xiàng)?(占空比,頻率?VOUT其它電壓條件的如何?)

            2、尋找測(cè)試結(jié)果的分布規(guī)律,是否變動(dòng)很大?還是總是偏大/偏小?

            3、你的參數(shù)測(cè)試方法?使用哪些硬件資源,DUT外圍器件如何?

            不知道你使用的Test Board電路如何?

            因?yàn)?576是開(kāi)關(guān)電路,測(cè)試電路的EMI(電磁干擾)問(wèn)題尤為重要。

            - 輸入、輸出端的連線(xiàn)要盡量短

            - 使用單點(diǎn)接地方式

            - 是否使用的是肖特基二極管1N5822(或者快恢復(fù)二極管)。這點(diǎn)往往被工程師或略,常用1N4XXX等普通整流/開(kāi)關(guān)管代替,這樣會(huì)造成EMI增大,輸出效率降低,是不穩(wěn)定的一個(gè)禍因。

            以前我處理過(guò)LM/MC34063,也是遇到測(cè)試穩(wěn)定性差的問(wèn)題。

            看看你的pattern和電源濾波電容有沒(méi)有問(wèn)題

            ICC應(yīng)該讓chip不停的run,那么你的pattern應(yīng)該是loop的,如果loop的首尾連接不好就可能出現(xiàn)這樣的問(wèn)題

            另外,測(cè)試儀也是個(gè)問(wèn)題,你可以反復(fù)測(cè)試幾個(gè)DUT,看看有什么規(guī)律沒(méi)有Pin有沒(méi)有I/O類(lèi)型的,如果有外面結(jié)法是否應(yīng)該檢查一下內(nèi)部有沒(méi)有電容,charge pump一類(lèi)的功耗元件

            如果都不是,就要看看版圖or加工了,是否內(nèi)部有虛短的東西,這個(gè)比較難分析了

            也就是TL431吧?3PIN(TO92/8SOP)Voltage Reference,我們生產(chǎn)過(guò)。你能肯定是測(cè)試還是FAB的問(wèn)題?30ea是否為真的不良,有沒(méi)有驗(yàn)證過(guò)?

            查連線(xiàn)吧



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